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Transistor MOSFET FQPF10N20C de puissance élevée N-canal, QFET®, 200 V, 9,5 A, 360 mΩ, TO-220F
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N-canal du transistor MOSFET FQPF10N20C de puissance élevée, ® de QFET, 200 V, 9,5 A, 360 mΩ, TO-220F [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:45:45

Transistor MOSFET FQP9P25 de puissance élevée P-canal QFET® 250V -9.4A, 620mΩ
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® 250V -9.4A, 620mΩ du P-canal QFET du transistor MOSFET FQP9P25 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix

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Transistor MOSFET FQP9N90C de puissance élevée N-canal, QFET®, 900 V, 8,0 A, 1,4 Ω, TO-220
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Transistor MOSFET FQP8N80C de puissance élevée N-canal, QFET®, 800 V, 8 A, 1,55 Ω, TO-220
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Transistor MOSFET FQP85N06 de puissance élevée N-canal, QFET®, 60 V, 85 A, 10 mΩ, TO-220
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Transistor MOSFET FQP7P06 de puissance élevée P-canal, QFET®, 60 V 7 A, 410 mΩ, TO-220
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Transistor MOSFET FQP7N80C de puissance élevée N-canal, QFET®, 800 Ω de V 7 A 1,9, TO-220
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Transistor MOSFET FQP7N20 de puissance élevée N-canal, QFET® 200 V 6,6 A 0,69 Ω, TO-220
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Transistor MOSFET FQP6N80C de puissance élevée N-canal, Ω TO-220 de QFET® 800 V 5,5 A 2,5
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Transistor MOSFET FQP6N40C de puissance élevée N-canal, QFET® 400 V 6 A, 1,0 Ω, TO-220
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