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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FQP65N06 de puissance élevée N-canal, mΩ de QFET<sup>®</sup> 60 V 65 A 16, TO-220 usine

Transistor MOSFET FQP65N06 de puissance élevée N-canal, mΩ de QFET<sup>®</sup> 60 V 65 A 16, TO-220
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N-canal du transistor MOSFET FQP65N06 de puissance élevée, mΩ du ® 60 V 65 A 16 de QFET, TO-220 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:44
Chine Transistor MOSFET FQP55N10 de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 100 V, 55 A, 26 mΩ, TO-220 usine

Transistor MOSFET FQP55N10 de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup> 100 V, 55 A, 26 mΩ, TO-220
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N-canal du transistor MOSFET FQP55N10 de puissance élevée, ® 100 V, 55 A, 26 mΩ, TO-220 de QFET [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:44
Chine Transistor MOSFET FQP50N06L de puissance élevée N-canal, niveau de logique, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 60 V, 52,4 A, 21 mΩ, TO-220 usine

Transistor MOSFET FQP50N06L de puissance élevée N-canal, niveau de logique, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 52,4 A, 21 mΩ, TO-220
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2022-05-30 21:45:44
Chine Transistor MOSFET FQP4P40 de puissance élevée P-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -400 V, -3,5 A, 3,1 Ω, TO-220 usine

Transistor MOSFET FQP4P40 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -400 V, -3,5 A, 3,1 Ω, TO-220
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2022-05-30 21:45:44
Chine Transistor MOSFET FQP4N80 de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 800 V, 3,9 A, 3,6 Ω, TO-220 usine

Transistor MOSFET FQP4N80 de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 800 V, 3,9 A, 3,6 Ω, TO-220
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2022-05-30 21:45:43
Chine Transistor MOSFET FQP47P06 de puissance élevée P-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -60 V, -47 A, 26 mΩ, TO-220 usine

Transistor MOSFET FQP47P06 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -47 A, 26 mΩ, TO-220
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2022-05-30 21:45:43
Chine Transistor MOSFET FQP45N15V2 de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 150 V, 45 A, 40 mΩ, TO-220 usine

Transistor MOSFET FQP45N15V2 de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 150 V, 45 A, 40 mΩ, TO-220
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2022-05-30 21:45:43
Chine Transistor MOSFET FQP44N10 de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 100 V, 43,5 A, 39 mΩ, TO-220 usine

Transistor MOSFET FQP44N10 de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 43,5 A, 39 mΩ, TO-220
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2022-05-30 21:45:43
Chine Transistor MOSFET FQP3P50 de puissance élevée P-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -500 V, -2,7 A, 4,9 Ω, TO-220 usine

Transistor MOSFET FQP3P50 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -500 V, -2,7 A, 4,9 Ω, TO-220
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2022-05-30 21:45:43
Chine Transistor MOSFET FQP3P20 de puissance élevée P-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -200 V, -2,8 A, 2,7 Ω, TO-220 usine

Transistor MOSFET FQP3P20 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -200 V, -2,8 A, 2,7 Ω, TO-220
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