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Aperçu ProduitsTransistor MOSFET de puissance élevée

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R
IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R

Image Grand :  Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF meilleur prix

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: Infineon
Numéro de modèle: IRLML6402TRPBF
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Quantité de paquet
Prix: contact sales for updated price
Détails d'emballage: bande et bobine
Délai de livraison: 2 semaines
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 1000+
Description de produit détaillée
Nombre plus probable: IRLML6402TRPBF MFR: Infineon
Catégorie: MOSFET Taille: 1.02*3.04*1.4mm
Mettre en évidence:

Transistor MOSFET SI 20V de puissance élevée

,

Transistor MOSFET P-CH de puissance élevée

,

IRLML6402TRPBF

Transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R de transport d'IRLML6402TRPBF Infineon

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
Des véhicules à moteur Non
PPAP Non
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Matériel SI
Configuration Simple
Technologie transformatrice HEXFET
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche P
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 20
Tension de source de porte maximum (v) ±12
Tension maximum de seuil de porte (v) 1,2
La température de jonction fonctionnante (°C) -55 à 150
Drain continu maximum (a) actuel 3,7
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) 100
IDSS maximum (uA) 1
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 65@4.5V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 8@5V
Porte typique pour vidanger la charge (OR) 2,8
Porte typique à la charge de source (OR) 1,2
Charge inverse typique de récupération (OR) 11
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 633@10V
Capacité inverse typique @ Vds (PF) de transfert 110@10V
Tension minimum de seuil de porte (v) 0,4
Capacité de sortie typique (PF) 145
Dissipation de puissance maximum (mW) 1300
Temps typique d'automne (NS) 381
Temps de montée typique (NS) 48
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 588
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 350
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Emballage Bande et bobine
Maximum pulsés vidangent le courant @ TC=25°C (a) 22
Résistance thermique ambiante de jonction maximum sur la carte PCB (°C/W) 100
Tension typique de plateau de porte (v) 1,9
Temps de rétablissement inverse typique (NS) 29
Tension en avant de diode maximum (v) 1,2
Tension typique de seuil de porte (v) 0,55
Tension de source de porte positive maximum (v) 12
Pin Count 3
Nom de forfait standard IVROGNE
Paquet de fournisseur SOT-23
Support Bâti extérieur
Taille de paquet 1,02 (maximum)
Longueur de paquet 3,04 (maximum)
Largeur de paquet 1,4 (maximum)
La carte PCB a changé 3
Forme d'avance Mouette-aile

Coordonnées
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Personne à contacter: peter

Téléphone: +8613211027073

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