Envoyer le message

Multi-produits d'Intergrate, plein service d'étapes,
Contrôle de haute qualité, fullfillment du besoin des clients

 

Maison
Produits
Au sujet de nous
Visite d'usine
Contrôle de qualité
Contactez-nous
Demande de soumission
Aperçu ProduitsTransistor MOSFET de puissance élevée

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon

IRLML6401TRPBF Infineon Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 Pin SOT-23 T/R
IRLML6401TRPBF Infineon Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 Pin SOT-23 T/R IRLML6401TRPBF Infineon Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 Pin SOT-23 T/R

Image Grand :  Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon meilleur prix

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: Infineon
Numéro de modèle: IRLML6401TRPBF
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Quantité de paquet
Prix: contact sales for updated price
Détails d'emballage: bande et bobine
Délai de livraison: 2 semaines
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 1000+
Description de produit détaillée
Nombre plus probable: IRLML6401TRPBF MFR: Infineon
Catégorie: MOSFET Taille: 1.02*3.04*1.4mm
Mettre en évidence:

Transistor MOSFET P ch SI 12V

,

Transistor MOSFET P ch d'Infineon

,

IRLML6401TRPBF

Transistor MOSFET P-CH SI 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R de transport d'IRLML6401TRPBF Infineon

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
Des véhicules à moteur Non
PPAP Non
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Matériel SI
Configuration Simple
Technologie transformatrice HEXFET
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche P
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 12
Tension de source de porte maximum (v) ±8
Tension maximum de seuil de porte (v) 0,95
La température de jonction fonctionnante (°C) -55 à 150
Drain continu maximum (a) actuel 4,3
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) 100
IDSS maximum (uA) 1
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 50@4.5V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 10@5V
Porte typique pour vidanger la charge (OR) 2,6
Porte typique à la charge de source (OR) 1,4
Charge inverse typique de récupération (OR) 8
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 830@10V
Capacité inverse typique @ Vds (PF) de transfert 125@10V
Tension minimum de seuil de porte (v) 0,4
Capacité de sortie typique (PF) 180
Dissipation de puissance maximum (mW) 1300
Temps typique d'automne (NS) 210
Temps de montée typique (NS) 32
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 250
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 11
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Emballage Bande et bobine
Maximum pulsés vidangent le courant @ TC=25°C (a) 34
Résistance thermique ambiante de jonction maximum sur la carte PCB (°C/W) 100
Tension typique de plateau de porte (v) 1,7
Temps de rétablissement inverse typique (NS) 22
Tension en avant de diode maximum (v) 1,2
Tension typique de seuil de porte (v) 0,55
Tension de source de porte positive maximum (v) 8
Pin Count 3
Nom de forfait standard IVROGNE
Paquet de fournisseur SOT-23
Support Bâti extérieur
Taille de paquet 1,02 (maximum)
Longueur de paquet 3,04 (maximum)
Largeur de paquet 1,4 (maximum)
La carte PCB a changé 3
Forme d'avance Mouette-aile

Coordonnées
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Personne à contacter: peter

Téléphone: +8613211027073

Envoyez votre demande directement à nous