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Aperçu ProduitsTransistor MOSFET de puissance élevée

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF High Power MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 Pin SOT-23 T/R
IRLML2803TRPBF High Power MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 Pin SOT-23 T/R IRLML2803TRPBF High Power MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 Pin SOT-23 T/R IRLML2803TRPBF High Power MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 Pin SOT-23 T/R IRLML2803TRPBF High Power MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 Pin SOT-23 T/R

Image Grand :  Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF meilleur prix

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: Infineon
Numéro de modèle: IRLML2803TRPBF
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Quantité de paquet
Prix: contact sales for updated price
Détails d'emballage: bande et bobine
Délai de livraison: 2 semaines
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 1000+
Description de produit détaillée
Nombre plus probable: IRLML2803TRPBF MFR: Infineon
Catégorie: MOSFET Taille: 1.02*3.04*1.4mm
Mettre en évidence:

Transistor MOSFET SOT-23 T/R de puissance élevée

,

Transistor MOSFET SI 30V de puissance élevée

,

IRLML2803TRPBF

Transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R de transport d'IRLML2803TRPBF Infineon

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
Des véhicules à moteur Non
PPAP Non
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Matériel SI
Configuration Simple
Technologie transformatrice HEXFET
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche N
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 30
Tension de source de porte maximum (v) ±20
Tension maximum de seuil de porte (v) 1 (minute)
Drain continu maximum (a) actuel 1,2
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 250@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 3.3@10V
Charge typique @ 10V (OR) de porte 3,3
Porte typique pour vidanger la charge (OR) 1,1
Porte typique à la charge de source (OR) 0,48
Charge inverse typique de récupération (OR) 22
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 85@25V
Capacité de sortie typique (PF) 34
Dissipation de puissance maximum (mW) 540
Temps typique d'automne (NS) 1,7
Temps de montée typique (NS) 4
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 9
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 3,9
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Emballage Bande et bobine
Pin Count 3
Nom de forfait standard IVROGNE
Paquet de fournisseur SOT-23
Support Bâti extérieur
Taille de paquet 1,02 (maximum)
Longueur de paquet 3,04 (maximum)
Largeur de paquet 1,4 (maximum)
La carte PCB a changé 3
Forme d'avance Mouette-aile

Coordonnées
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Personne à contacter: peter

Téléphone: +8613211027073

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