Multi-produits d'Intergrate, plein service d'étapes,
Contrôle de haute qualité, fullfillment du besoin des clients

Ventes & Support
Demande de soumission - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Maison
Produits
Au sujet de nous
Visite d'usine
Contrôle de qualité
Contactez-nous
Demande de soumission

Categories: Toutes les catégories

Crystal Electronic Component

Diodes et transistors électroniques

Unité MCU de microcontrôleur

Stockage de données de mémoire instantanée

Connecteur de panneau de carte PCB

Circuit intégré de SMD

Module électronique de Digital

Transistor MOSFET de puissance élevée

Optoélectronique LED

Composants électroniques passifs

Circuit imprimé flexible de Fpc

Service d\'Assemblée de carte PCB

Panneau électronique d\'affichage numérique

Relais de puissance de signal

Interrupteur à positions multiples de SMD

Outils de promoteur

Câble d\'UL

Capteurs de composant électronique

ensembles de bague collectrice

Aperçu Produits

Transistor MOSFET de puissance élevée

Tous les produits

Crystal Electronic Component (67)

Diodes et transistors électroniques (26)

Unité MCU de microcontrôleur (33)

Stockage de données de mémoire instantanée (20)

Connecteur de panneau de carte PCB (21)

Circuit intégré de SMD (159)

Module électronique de Digital (6)

Transistor MOSFET de puissance élevée (2119)

Optoélectronique LED (21)

Composants électroniques passifs (21)

Circuit imprimé flexible de Fpc (6)

Service d'Assemblée de carte PCB (2)

Panneau électronique d'affichage numérique (6)

Relais de puissance de signal (12)

Interrupteur à positions multiples de SMD (25)

Outils de promoteur (6)

Câble d'UL (2)

Capteurs de composant électronique (20)

ensembles de bague collectrice (13)

Je suis en ligne une discussion en ligne

ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF

Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon

1 2 3 4 5

Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)

Transistor MOSFET FQN1N60C de puissance élevée N-canal, QFET®, 600 V, 0,3 A, 11,5 Ω, TO-92
Contact

N-canal du transistor MOSFET FQN1N60C de puissance élevée, ® de QFET, 600 V, 0,3 A, 11,5 Ω, TO-92 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:45:40

Transistor MOSFET FQN1N50C de puissance élevée N-canal, QFET®, 500 V, 0,38 A, 6 Ω, TO-92
Contact

N-canal du transistor MOSFET FQN1N50C de puissance élevée, ® de QFET, 500 V, 0,38 A, 6 Ω, TO-92 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:45:40

Transistor MOSFET FQI7N80 de puissance élevée N-canal QFET®, 800 V, 6,6 A, 1,5 Ω, I2PAK
Contact

® du N-canal QFET du transistor MOSFET FQI7N80 de puissance élevée, 800 V, 6,6 A, 1,5 Ω, I2PAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:45:40

Transistor MOSFET FQI7N60 de puissance élevée N-canal QFET® 600V 7,4 un 1Ω I2PAK
Contact

® 600V 7,4 du N-canal QFET du transistor MOSFET FQI7N60 de puissance élevée un 1Ω I2PAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:45:39

N-canal 650 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK du transistor MOSFET NTB190N65S3HF de puissance élevée
Contact

N-canal 650 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK du transistor MOSFET NTB190N65S3HF de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:42:14

Transistor MOSFET NTB150N65S3HF de puissance élevée MΩ D2PAK du N-canal 650 V 24 A 150
Contact

MΩ D2PAK du N-canal 650 V 24 A 150 du transistor MOSFET NTB150N65S3HF de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:42:14

Transistor MOSFET NTB110N65S3HF de puissance élevée N-canal SUPERFET® III FRFET® 650V 30A 110mΩ D2PAK
Contact

® 650V 30A 110mΩ D2PAK du ® III FRFET du N-canal SUPERFET du transistor MOSFET NTB110N65S3HF de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionneme... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:42:14

Transistor MOSFET NTB095N65S3HF de puissance élevée N-canal, SUPERFET III, mΩ D2PAK de FRFET 650 V 36 A 95
Contact

N-canal du transistor MOSFET NTB095N65S3HF de puissance élevée, SUPERFET III, mΩ D2PAK de FRFET 650 V 36 A 95 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:42:14

Transistor MOSFET NTB082N65S3F de puissance élevée N-canal SUPERFET® III 650V 40A 82mΩ D2PAK
Contact

® III 650V 40A 82mΩ D2PAK du N-canal SUPERFET du transistor MOSFET NTB082N65S3F de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:42:14

Transistor MOSFET NTB011N15MC de puissance élevée Le N-canal a protégé la porte PowerTrench® 150 V, 10,9 le mΩ, 75,4 A
Contact

Porte protégée parcanal PowerTrench® du transistor MOSFET NTB011N15MC de puissance élevée 150 V, 10,9 mΩ, 75,4 A [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionneme... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:42:14

Page 101 of 212|< << 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 >> >|

Au sujet de nous

Au sujet de nous

Visite d'usine

Contrôle de qualité

Circuit intégré de SMD

Émetteur-récepteur IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN du TI rf de CC2541F256RHAR

Plateau instantané à 8 bits de la PUCE MCU AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP d'ATMEGA328P-AU

Les conducteurs de l'intense luminosité LED du TI TPS92662AQPHPRQ1 apprêtent Pin du bâti 48

Stockage de données de mémoire instantanée

Pin SOIC N T/R du peu 8 du stockage de données EEPROM I2C 256K de la mémoire 24LC256T-E/SN instantanée

MCP de boule de Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 de MICRON de MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Stockage de données Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit de mémoire instantanée de M24M01-RMN6TP

Unité MCU de microcontrôleur

Unité MCU 8 STM8 mordu 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R de microcontrôleur de St de STM8S003F3P6TR

Unité MCU 16 MSP430 mordu 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R de microcontrôleur de TI de MSP430G2211IPW14R

L'unité MCU 32 de microcontrôleur de St STM32F030CCT6 a mordu l'éclair de l'ARM Cortex M0 RISC 256KB

Contactez-nous

Contactez-nous

Demandez une citation

E-Mail

Sitemap

Site mobile

Transistor MOSFET de puissance élevée

ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF

Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon

Transistor MOSFET de puissance élevée

Transistor MOSFET FQN1N60C de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 600 V, 0,3 A, 11,5 Ω, TO-92
Contact

Transistor MOSFET FQN1N50C de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 500 V, 0,38 A, 6 Ω, TO-92
Contact

Transistor MOSFET FQI7N80 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 800 V, 6,6 A, 1,5 Ω, I2PAK
Contact

Transistor MOSFET FQI7N60 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup> 600V 7,4 un 1Ω I2PAK
Contact

N-canal 650 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK du transistor MOSFET NTB190N65S3HF de puissance élevée
Contact

Transistor MOSFET NTB150N65S3HF de puissance élevée MΩ D2PAK du N-canal 650 V 24 A 150
Contact

Transistor MOSFET NTB110N65S3HF de puissance élevée N-canal SUPERFET<sup>®</sup> III FRFET<sup>®</sup> 650V 30A 110mΩ D2PAK
Contact

Transistor MOSFET NTB095N65S3HF de puissance élevée N-canal, SUPERFET III, mΩ D2PAK de FRFET 650 V 36 A 95
Contact

Transistor MOSFET NTB082N65S3F de puissance élevée N-canal SUPERFET<sup>®</sup> III 650V 40A 82mΩ D2PAK
Contact

Transistor MOSFET NTB011N15MC de puissance élevée Le N-canal a protégé la porte PowerTrench® 150 V, 10,9 le mΩ, 75,4 A
Contact

Transistor MOSFET de puissance élevée

ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF

Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon

Transistor MOSFET de puissance élevée

Transistor MOSFET FQN1N60C de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 600 V, 0,3 A, 11,5 Ω, TO-92 Contact

Transistor MOSFET FQN1N50C de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 500 V, 0,38 A, 6 Ω, TO-92 Contact

Transistor MOSFET FQI7N80 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 800 V, 6,6 A, 1,5 Ω, I2PAK Contact

Transistor MOSFET FQI7N60 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup> 600V 7,4 un 1Ω I2PAK Contact

N-canal 650 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK du transistor MOSFET NTB190N65S3HF de puissance élevée Contact

Transistor MOSFET NTB150N65S3HF de puissance élevée MΩ D2PAK du N-canal 650 V 24 A 150 Contact

Transistor MOSFET NTB110N65S3HF de puissance élevée N-canal SUPERFET<sup>®</sup> III FRFET<sup>®</sup> 650V 30A 110mΩ D2PAK Contact

Transistor MOSFET NTB095N65S3HF de puissance élevée N-canal, SUPERFET III, mΩ D2PAK de FRFET 650 V 36 A 95 Contact

Transistor MOSFET NTB082N65S3F de puissance élevée N-canal SUPERFET<sup>®</sup> III 650V 40A 82mΩ D2PAK Contact

Transistor MOSFET NTB011N15MC de puissance élevée Le N-canal a protégé la porte PowerTrench® 150 V, 10,9 le mΩ, 75,4 A Contact

Transistor MOSFET FQN1N60C de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 600 V, 0,3 A, 11,5 Ω, TO-92
Contact

Transistor MOSFET FQN1N50C de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 500 V, 0,38 A, 6 Ω, TO-92
Contact

Transistor MOSFET FQI7N80 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 800 V, 6,6 A, 1,5 Ω, I2PAK
Contact

Transistor MOSFET FQI7N60 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup> 600V 7,4 un 1Ω I2PAK
Contact

N-canal 650 V, 20 A, 190 mΩ, D2PAK du transistor MOSFET NTB190N65S3HF de puissance élevée
Contact

Transistor MOSFET NTB150N65S3HF de puissance élevée MΩ D2PAK du N-canal 650 V 24 A 150
Contact

Transistor MOSFET NTB110N65S3HF de puissance élevée N-canal SUPERFET<sup>®</sup> III FRFET<sup>®</sup> 650V 30A 110mΩ D2PAK
Contact

Transistor MOSFET NTB095N65S3HF de puissance élevée N-canal, SUPERFET III, mΩ D2PAK de FRFET 650 V 36 A 95
Contact

Transistor MOSFET NTB082N65S3F de puissance élevée N-canal SUPERFET<sup>®</sup> III 650V 40A 82mΩ D2PAK
Contact

Transistor MOSFET NTB011N15MC de puissance élevée Le N-canal a protégé la porte PowerTrench® 150 V, 10,9 le mΩ, 75,4 A
Contact