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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FQU13N06L de puissance élevée MΩ du N-canal QFET<sup>®</sup> 60 V 11 A 115, IPAK usine

Transistor MOSFET FQU13N06L de puissance élevée MΩ du N-canal QFET<sup>®</sup> 60 V 11 A 115, IPAK
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MΩ du ® 60 V 11 A 115 du N-canal QFET du transistor MOSFET FQU13N06L de puissance élevée, IPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:51
Chine Transistor MOSFET FQU11P06 de puissance élevée P-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, IPAK usine

Transistor MOSFET FQU11P06 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, IPAK
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P-canal du transistor MOSFET FQU11P06 de puissance élevée, ® de QFET, -60 V, -9,4 A, 185 mΩ, IPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:51
Chine Transistor MOSFET FQU10N20C de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 200 V, 7,8 A, 360 mΩ, IPAK usine

Transistor MOSFET FQU10N20C de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 7,8 A, 360 mΩ, IPAK
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N-canal du transistor MOSFET FQU10N20C de puissance élevée, ® de QFET, 200 V, 7,8 A, 360 mΩ, IPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:51
Chine Transistor MOSFET FQT7N10L de puissance élevée N-canal, niveau de logique, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223 usine

Transistor MOSFET FQT7N10L de puissance élevée N-canal, niveau de logique, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223
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N-canal du transistor MOSFET FQT7N10L de puissance élevée, niveau de logique, ® de QFET, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:50
Chine Transistor MOSFET FQT7N10 de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223 usine

Transistor MOSFET FQT7N10 de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 1,7 A, 350 mΩ, SOT-223
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2022-05-30 21:45:50
Chine Transistor MOSFET FQT5P10 de puissance élevée Transistor MOSFET -100V, -1.0A, 1.05Ω du P-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FQT5P10 de puissance élevée Transistor MOSFET -100V, -1.0A, 1.05Ω du P-canal QFET<sup>®</sup>
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2022-05-30 21:45:50
Chine Transistor MOSFET FQT4N25 de puissance élevée N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 250 V, 0,83 A, 1,75 Ω, SOT-223 usine

Transistor MOSFET FQT4N25 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 250 V, 0,83 A, 1,75 Ω, SOT-223
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® du N-canal QFET du transistor MOSFET FQT4N25 de puissance élevée, 250 V, 0,83 A, 1,75 Ω, SOT-223 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:50
Chine Transistor MOSFET FQT4N20L de puissance élevée Niveau de logique de N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 200 V, 0,85 A, 1,4 Ω, SOT-223 usine

Transistor MOSFET FQT4N20L de puissance élevée Niveau de logique de N-canal, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 0,85 A, 1,4 Ω, SOT-223
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Niveau de logique de N-canal du transistor MOSFET FQT4N20L de puissance élevée, ® de QFET, 200 V, 0,85 A, 1,4 Ω, SOT-223 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:50
Chine Transistor MOSFET FQT3P20 de puissance élevée P-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -200 V, -0,67 A, 2,7 Ω, SOT-223 usine

Transistor MOSFET FQT3P20 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -200 V, -0,67 A, 2,7 Ω, SOT-223
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P-canal du transistor MOSFET FQT3P20 de puissance élevée, ® de QFET, -200 V, -0,67 A, 2,7 Ω, SOT-223 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:50
Chine Transistor MOSFET FQT2P25 de puissance élevée Transistor MOSFET -250 V, -0,55 A, 4,0 Ω du P-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FQT2P25 de puissance élevée Transistor MOSFET -250 V, -0,55 A, 4,0 Ω du P-canal QFET<sup>®</sup>
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