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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FQU5N60C de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 600 V, 2,8 A, 2,5 Ω, IPAK usine

Transistor MOSFET FQU5N60C de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 600 V, 2,8 A, 2,5 Ω, IPAK
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2022-05-30 21:45:52
Chine Transistor MOSFET FQU3N60CTU de puissance élevée Ω IPAK du N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 600 V 2.4A 3,4 usine

Transistor MOSFET FQU3N60CTU de puissance élevée Ω IPAK du N-canal QFET<sup>®</sup> 600 V 2.4A 3,4
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Ω IPAK du ® 600 V 2.4A 3,4 du N-canal QFET du transistor MOSFET FQU3N60CTU de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:52
Chine Transistor MOSFET FQU2N90 de puissance élevée N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, IPAK usine

Transistor MOSFET FQU2N90 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, IPAK
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2022-05-30 21:45:52
Chine Transistor MOSFET FQU2N60C de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 600 V, 1,9 A, 4,7 Ω, IPAK usine

Transistor MOSFET FQU2N60C de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 600 V, 1,9 A, 4,7 Ω, IPAK
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Chine Transistor MOSFET FQU2N100 de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 1000 V, 1,6 A, 9 Ω, IPAK usine

Transistor MOSFET FQU2N100 de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 1000 V, 1,6 A, 9 Ω, IPAK
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2022-05-30 21:45:52
Chine Transistor MOSFET FQU20N06L de puissance élevée Niveau QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 60V 17.2A 42mΩ IPAK de logique de N-canal usine

Transistor MOSFET FQU20N06L de puissance élevée Niveau QFET<sup>®</sup> 60V 17.2A 42mΩ IPAK de logique de N-canal
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® 60V 17.2A 42mΩ IPAK du niveau QFET de logique de N-canal du transistor MOSFET FQU20N06L de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:51
Chine Transistor MOSFET FQU1N80 de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, IPAK usine

Transistor MOSFET FQU1N80 de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, IPAK
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2022-05-30 21:45:51
Chine Transistor MOSFET FQU1N60C de puissance élevée N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, IPAK usine

Transistor MOSFET FQU1N60C de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, IPAK
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2022-05-30 21:45:51
Chine Transistor MOSFET FQU17P06 de puissance élevée P-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK usine

Transistor MOSFET FQU17P06 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK
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P-canal du transistor MOSFET FQU17P06 de puissance élevée, ® de QFET, -60 V, -12 A, 135 mΩ, IPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
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Chine Transistor MOSFET FQU13N10L de puissance élevée MΩ IPAK du N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 100V 10A 180 usine

Transistor MOSFET FQU13N10L de puissance élevée MΩ IPAK du N-canal QFET<sup>®</sup> 100V 10A 180
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MΩ IPAK du ® 100V 10A 180 du N-canal QFET du transistor MOSFET FQU13N10L de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:45:51
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