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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDC637BNZ de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V spécifique, 20V, 6.2A, 24mΩ usine

Transistor MOSFET FDC637BNZ de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V spécifique, 20V, 6.2A, 24mΩ
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Transistor MOSFET de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDC637BNZ de puissance élevée, 2.5V spécifique, 20V, 6.2A, 24mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:53
Chine Transistor MOSFET FDC637AN de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 2.5V spécifique, 20V, 6.2A, 24mΩ usine

Transistor MOSFET FDC637AN de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V spécifique, 20V, 6.2A, 24mΩ
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2022-05-30 22:15:53
Chine Transistor MOSFET FDC634P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 2.5V spécifique, -20V, -3.5A, 80mΩ usine

Transistor MOSFET FDC634P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V spécifique, -20V, -3.5A, 80mΩ
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2022-05-30 22:15:53
Chine Transistor MOSFET FDC6333C de puissance élevée Transistors MOSFET de N et de P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 30V usine

Transistor MOSFET FDC6333C de puissance élevée Transistors MOSFET de N et de P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 30V
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2022-05-30 22:15:53
Chine Transistor MOSFET FDC6327C de puissance élevée Double N et transistor MOSFET de PowerTrench® de P-canal, 2.5V ont spécifié usine

Transistor MOSFET FDC6327C de puissance élevée Double N et transistor MOSFET de PowerTrench® de P-canal, 2.5V ont spécifié
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Le transistor MOSFET FDC6327C double N de puissance élevée et transistor MOSFET de PowerTrench® de P-canal, 2.5V a spécifié [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:53
Chine Transistor MOSFET FDC6321C de puissance élevée Double FET 25V de Digital de la Manche de N et de P usine

Transistor MOSFET FDC6321C de puissance élevée Double FET 25V de Digital de la Manche de N et de P
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Transistor MOSFET FDC6321C double FET 25V de Digital de la Manche de N de puissance élevée et de P [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:53
Chine Transistor MOSFET FDC6318P de puissance élevée Le double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 1.8V a spécifié, -12V, -2.5A, 90mΩ usine

Transistor MOSFET FDC6318P de puissance élevée Le double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 1.8V a spécifié, -12V, -2.5A, 90mΩ
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2022-05-30 22:15:52
Chine Transistor MOSFET FDC6312P de puissance élevée Double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 1.8V spécifique, -20V, -2.3A, 115mΩ usine

Transistor MOSFET FDC6312P de puissance élevée Double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 1.8V spécifique, -20V, -2.3A, 115mΩ
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2022-05-30 22:15:52
Chine Transistor MOSFET FDC6310P de puissance élevée Double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 2.5V spécifique, -20V, -2.2A, 125mΩ usine

Transistor MOSFET FDC6310P de puissance élevée Double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V spécifique, -20V, -2.2A, 125mΩ
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2022-05-30 22:15:52
Chine Transistor MOSFET FDC6306P de puissance élevée Double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 2.5V spécifique, -20V, -1.9A, 170mΩ usine

Transistor MOSFET FDC6306P de puissance élevée Double transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V spécifique, -20V, -1.9A, 170mΩ
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2022-05-30 22:15:52
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