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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDC6305N de puissance élevée Double transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V spécifique, 20V, 2.7A, 80mΩ usine

Transistor MOSFET FDC6305N de puissance élevée Double transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V spécifique, 20V, 2.7A, 80mΩ
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Transistor MOSFET élevé de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDC6305N de puissance double, 2.5V spécifique, 20V, 2.7A, 80mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:52
Chine Transistor MOSFET FDC6303N de puissance élevée Double FET 25V, 0.68A, 0.45Ω de Digital de N-canal usine

Transistor MOSFET FDC6303N de puissance élevée Double FET 25V, 0.68A, 0.45Ω de Digital de N-canal
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FET élevé 25V, 0.68A, 0.45Ω de Digital de N-canal du transistor MOSFET FDC6303N de puissance double [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:52
Chine Transistor MOSFET FDC6301N de puissance élevée Double FET 25V, 0.22A, 4Ω de Digital de N-canal usine

Transistor MOSFET FDC6301N de puissance élevée Double FET 25V, 0.22A, 4Ω de Digital de N-canal
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FET élevé 25V, 0.22A, 4Ω de Digital de N-canal du transistor MOSFET FDC6301N de puissance double [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:51
Chine Transistor MOSFET FDC610PZ de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -30V, -4.9A, 42mΩ usine

Transistor MOSFET FDC610PZ de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, -30V, -4.9A, 42mΩ
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Transistor MOSFET de ® de PowerTrench de P-canal du transistor MOSFET FDC610PZ de puissance élevée, -30V, -4.9A, 42mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisio... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:51
Chine Transistor MOSFET FDC608PZ de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 2.5V spécifique, -20V, -5.8A, 30mΩ usine

Transistor MOSFET FDC608PZ de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V spécifique, -20V, -5.8A, 30mΩ
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2022-05-30 22:15:51
Chine Transistor MOSFET FDC606P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 1.8V spécifique, -12V, -6A, 26mΩ usine

Transistor MOSFET FDC606P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 1.8V spécifique, -12V, -6A, 26mΩ
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2022-05-30 22:15:51
Chine Transistor MOSFET FDC604P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 1.8V spécifique, -20V, -5.5A, 33mΩ usine

Transistor MOSFET FDC604P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 1.8V spécifique, -20V, -5.5A, 33mΩ
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2022-05-30 22:15:51
Chine Transistor MOSFET FDC602P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 2.5V spécifique, -20V, -5.5A, 35mΩ usine

Transistor MOSFET FDC602P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V spécifique, -20V, -5.5A, 35mΩ
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2022-05-30 22:15:51
Chine Transistor MOSFET FDC5661N_F085 de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, niveau de logique, 60V, 4A, 60mΩ usine

Transistor MOSFET FDC5661N_F085 de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, niveau de logique, 60V, 4A, 60mΩ
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2022-05-30 22:15:50
Chine Transistor MOSFET FDC5661N de puissance élevée Transistor MOSFET - niveau de logique de N-canal, PowerTrench®, 60V, 4A, 60mΩ usine

Transistor MOSFET FDC5661N de puissance élevée Transistor MOSFET - niveau de logique de N-canal, PowerTrench®, 60V, 4A, 60mΩ
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2022-05-30 22:15:50
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