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Transistor MOSFET de puissance élevée

Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDD4243 de puissance élevée
 Transistor MOSFET du P-canal owerTrench<sup>®</sup>, -40V, -14A, 44mΩ usine

Transistor MOSFET FDD4243 de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal owerTrench<sup>®</sup>, -40V, -14A, 44mΩ
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Transistor MOSFET de ® d'owerTrench de P-canal du transistor MOSFET FDD4243 de puissance élevée, -40V, -14A, 44mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnem... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:59
Chine Transistor MOSFET FDD3N50NZ de puissance élevée
 N-canal UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt; II, 500 V, 3 A, 2,5 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FDD3N50NZ de puissance élevée N-canal UniFET<sup>TM</sup> II, 500 V, 3 A, 2,5 Ω, DPAK
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N-canal UniFETTM II, 500 V, 3 A, 2,5 Ω, DPAK du transistor MOSFET FDD3N50NZ de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:59
Chine Transistor MOSFET FDD3N40 de puissance élevée
 N-canal, UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt;, 400V, 2A, 3.4Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FDD3N40 de puissance élevée N-canal, UniFET<sup>TM</sup>, 400V, 2A, 3.4Ω, DPAK
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N-canal du transistor MOSFET FDD3N40 de puissance élevée, UniFETTM, 400V, 2A, 3.4Ω, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:59
Chine Transistor MOSFET FDD390N15ALZ de puissance élevée
 Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 150V, 26A, 42mΩ usine

Transistor MOSFET FDD390N15ALZ de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 150V, 26A, 42mΩ
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2022-05-30 22:15:59
Chine Transistor MOSFET FDD390N15A de puissance élevée
 Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 150V, 26A, 40mΩ usine

Transistor MOSFET FDD390N15A de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 150V, 26A, 40mΩ
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2022-05-30 22:15:59
Chine Transistor MOSFET FDD3860 de puissance élevée
 Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 100 V, 29 A, mΩ 36 usine

Transistor MOSFET FDD3860 de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 100 V, 29 A, mΩ 36
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2022-05-30 22:15:59
Chine Transistor MOSFET FDD3690 de puissance élevée
 100V transistor MOSFET 22A, 64mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD3690 de puissance élevée 100V transistor MOSFET 22A, 64mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET 22A, 64mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDD3690 100V de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionneme... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:58
Chine Transistor MOSFET FDD3672 de puissance élevée
 Transistor MOSFET de fossé du N-canal UltraFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 100V, 44A, 28mΩ usine

Transistor MOSFET FDD3672 de puissance élevée Transistor MOSFET de fossé du N-canal UltraFET<sup>®</sup>, 100V, 44A, 28mΩ
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Transistor MOSFET de fossé de ® d'UltraFET de N-canal du transistor MOSFET FDD3672 de puissance élevée, 100V, 44A, 28mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:58
Chine Transistor MOSFET FDD3670 de puissance élevée
 transistor MOSFET 34A, 32mΩ de PowerTrench® du N-canal 100V usine

Transistor MOSFET FDD3670 de puissance élevée transistor MOSFET 34A, 32mΩ de PowerTrench® du N-canal 100V
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Transistor MOSFET 34A, 32mΩ de PowerTrench® de N-canal du transistor MOSFET FDD3670 100V de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:58
Chine Transistor MOSFET FDD306P de puissance élevée
 Le P-canal 1.8V a spécifié le transistor MOSFET -12V, -6.7A, 28mΩ de PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD306P de puissance élevée Le P-canal 1.8V a spécifié le transistor MOSFET -12V, -6.7A, 28mΩ de PowerTrench<sup>®</sup>
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Le P-canal 1.8V du transistor MOSFET FDD306P de puissance élevée a spécifié le transistor MOSFET -12V, -6.7A, 28mΩ de ® de PowerTrench [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer ... Lire la suite meilleur prix
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