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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDD6637 de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 35V, -55A, 11.6mΩ usine

Transistor MOSFET FDD6637 de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 35V, -55A, 11.6mΩ
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Transistor MOSFET de ® de PowerTrench de P-canal du transistor MOSFET FDD6637 de puissance élevée, 35V, -55A, 11.6mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvision... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:01
Chine Transistor MOSFET FDD6630A de puissance élevée 30V transistor MOSFET 21A, 35mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD6630A de puissance élevée 30V transistor MOSFET 21A, 35mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET 21A, 35mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDD6630A 30V de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionneme... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:01
Chine Transistor MOSFET FDD5N60NZ de puissance élevée N-canal UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt; II 600V 4A 2Ω DPAK usine

Transistor MOSFET FDD5N60NZ de puissance élevée N-canal UniFET<sup>TM</sup> II 600V 4A 2Ω DPAK
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N-canal UniFETTM II 600V 4A 2Ω DPAK du transistor MOSFET FDD5N60NZ de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:01
Chine Transistor MOSFET FDD5N50NZF de puissance élevée N-canal UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt; II, FRFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 500 V, 3,7 A, 1,75 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FDD5N50NZF de puissance élevée N-canal UniFET<sup>TM</sup> II, FRFET<sup>®</sup>, 500 V, 3,7 A, 1,75 Ω, DPAK
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N-canal UniFETTM II, ® de FRFET, 500 V, 3,7 A, 1,75 Ω, DPAK du transistor MOSFET FDD5N50NZF de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnemen... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:00
Chine Transistor MOSFET FDD5N50NZ de puissance élevée N-canal UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt; II 500V 4A 1,5 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FDD5N50NZ de puissance élevée N-canal UniFET<sup>TM</sup> II 500V 4A 1,5 Ω, DPAK
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2022-05-30 22:16:00
Chine Transistor MOSFET FDD5N50F de puissance élevée N-canal UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt;, FRFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 500 V, 3,5 A, 1,55 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FDD5N50F de puissance élevée N-canal UniFET<sup>TM</sup>, FRFET<sup>®</sup>, 500 V, 3,5 A, 1,55 Ω, DPAK
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2022-05-30 22:16:00
Chine Transistor MOSFET FDD5680 de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 38A, 21mΩ usine

Transistor MOSFET FDD5680 de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 38A, 21mΩ
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2022-05-30 22:16:00
Chine Transistor MOSFET FDD5353 de puissance élevée Transistor MOSFET de la puissance Trench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; de N-canal, 60V, 50A, 12.3mΩ usine

Transistor MOSFET FDD5353 de puissance élevée Transistor MOSFET de la puissance Trench<sup>®</sup> de N-canal, 60V, 50A, 12.3mΩ
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Transistor MOSFET de ® de fossé de puissance de N-canal du transistor MOSFET FDD5353 de puissance élevée, 60V, 50A, 12.3mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:00
Chine Transistor MOSFET FDD4N60NZ de puissance élevée Transistor MOSFET de puissance, N-canal, UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt; II, 600 V, 3,4 A, 2,5 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FDD4N60NZ de puissance élevée Transistor MOSFET de puissance, N-canal, UniFET<sup>TM</sup> II, 600 V, 3,4 A, 2,5 Ω, DPAK
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Chine Transistor MOSFET FDD4685 de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -40V, -23A, 27mΩ usine

Transistor MOSFET FDD4685 de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, -40V, -23A, 27mΩ
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