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Transistor MOSFET de puissance élevée

Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDD86102LZ de puissance élevée
 Transistor MOSFET 100 V, 35 A, de la porte protégé parcanal PowerTrench<sup>®</sup> mΩ 22,5 usine

Transistor MOSFET FDD86102LZ de puissance élevée Transistor MOSFET 100 V, 35 A, de la porte protégé parcanal PowerTrench<sup>®</sup> mΩ 22,5
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Transistor MOSFET 100 V, 35 A, de ® de PowerTrench de porte protégé parcanal du transistor MOSFET FDD86102LZ de puissance élevée mΩ 22,5 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:04
Chine Transistor MOSFET FDD86102 de puissance élevée
 Transistor MOSFET 100 V, 36 A, 24 mΩ de la porte protégé parcanal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD86102 de puissance élevée Transistor MOSFET 100 V, 36 A, 24 mΩ de la porte protégé parcanal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET 100 V, 36 A, 24 mΩ de ® de PowerTrench de porte protégé parcanal du transistor MOSFET FDD86102 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:04
Chine Transistor MOSFET FDD850N10L de puissance élevée
 Transistor MOSFET 100V, 15.7A, 75mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD850N10L de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 15.7A, 75mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET 100V, 15.7A, 75mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDD850N10L de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:03
Chine Transistor MOSFET FDD8453LZ de puissance élevée
 Transistor MOSFET 40V, 50A, 6.7mΩ de Trench® de puissance de N-canal usine

Transistor MOSFET FDD8453LZ de puissance élevée Transistor MOSFET 40V, 50A, 6.7mΩ de Trench® de puissance de N-canal
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Transistor MOSFET 40V, 50A, 6.7mΩ de Trench® de puissance de N-canal du transistor MOSFET FDD8453LZ de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:03
Chine Transistor MOSFET FDD8451 de puissance élevée
 Transistor MOSFET 40V, 28A, 24mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD8451 de puissance élevée Transistor MOSFET 40V, 28A, 24mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:16:03
Chine Transistor MOSFET FDD8447L de puissance élevée
 Transistor MOSFET de PowerTrench® de N-canal, 40V, 50A, 8.5mΩ usine

Transistor MOSFET FDD8447L de puissance élevée Transistor MOSFET de PowerTrench® de N-canal, 40V, 50A, 8.5mΩ
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2022-05-30 22:16:03
Chine Transistor MOSFET FDD8445 de puissance élevée
 Transistor MOSFET 40V, 50A, 8.7mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD8445 de puissance élevée Transistor MOSFET 40V, 50A, 8.7mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:16:03
Chine Transistor MOSFET FDD8444 de puissance élevée
 Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 40V, 50A, 5.2mΩ usine

Transistor MOSFET FDD8444 de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 40V, 50A, 5.2mΩ
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Transistor MOSFET de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDD8444 de puissance élevée, 40V, 50A, 5.2mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionne... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:03
Chine Transistor MOSFET FDD8424H de puissance élevée
 Double transistor MOSFET de N et de P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 40V usine

Transistor MOSFET FDD8424H de puissance élevée Double transistor MOSFET de N et de P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 40V
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Transistor MOSFET FDD8424H double N de puissance élevée et transistor MOSFET de ® de PowerTrench de P-canal, 40V [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionneme... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:03
Chine Transistor MOSFET FDD7N60NZ de puissance élevée
 N-canal, UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt; II, 600 V, 5,5 A, 1,25 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FDD7N60NZ de puissance élevée N-canal, UniFET<sup>TM</sup> II, 600 V, 5,5 A, 1,25 Ω, DPAK
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N-canal du transistor MOSFET FDD7N60NZ de puissance élevée, UniFETTM II, 600 V, 5,5 A, 1,25 Ω, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
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