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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDG1024NZ de puissance élevée Double transistor MOSFET 20 V, 1,2 A, du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> mΩ 175 usine

Transistor MOSFET FDG1024NZ de puissance élevée Double transistor MOSFET 20 V, 1,2 A, du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> mΩ 175
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Transistor MOSFET élevé 20 V, 1,2 A, de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDG1024NZ de puissance double mΩ 175 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:08
Chine Transistor MOSFET FDFS2P106A de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; et diode intégrés de Schottky, -60V, -3,0 A, mΩ 110 usine

Transistor MOSFET FDFS2P106A de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup> et diode intégrés de Schottky, -60V, -3,0 A, mΩ 110
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Le transistor MOSFET FDFS2P106A de puissance élevée a intégré le transistor MOSFET de ® de PowerTrench de P-canal et la diode de Schottky, -60V, -3,0 A, le mΩ 110 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:08
Chine Transistor MOSFET FDFMA2P029Z de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; et diode intégrés de Schottky, -20V, 3.1A, 95mΩ usine

Transistor MOSFET FDFMA2P029Z de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup> et diode intégrés de Schottky, -20V, 3.1A, 95mΩ
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Le transistor MOSFET FDFMA2P029Z de puissance élevée a intégré le transistor MOSFET de ® de PowerTrench de P-canal et la diode de Schottky, -20V, 3.1A, 95mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:08
Chine Transistor MOSFET FDD9509L-F085 de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal POWERTRENCH&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -40 V, -100 A, mΩ 4,4 usine

Transistor MOSFET FDD9509L-F085 de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal POWERTRENCH<sup>®</sup>, -40 V, -100 A, mΩ 4,4
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Transistor MOSFET de ® du P-canal POWERTRENCH du transistor MOSFET FDD9509L-F085 de puissance élevée, -40 V, -100 A, mΩ 4,4 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:08
Chine Transistor MOSFET FDD9507L-F085 de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal POWERTRENCH&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -40 V, -100 A, mΩ 4,4 usine

Transistor MOSFET FDD9507L-F085 de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal POWERTRENCH<sup>®</sup>, -40 V, -100 A, mΩ 4,4
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2022-05-30 22:16:08
Chine Transistor MOSFET FDD8N50NZ de puissance élevée Transistor MOSFET de puissance, N-canal, UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt; II, 500 V, 6,5 A, 850 mΩ, DPAK usine

Transistor MOSFET FDD8N50NZ de puissance élevée Transistor MOSFET de puissance, N-canal, UniFET<sup>TM</sup> II, 500 V, 6,5 A, 850 mΩ, DPAK
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Transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET FDD8N50NZ de puissance élevée, N-canal, UniFETTM II, 500 V, 6,5 A, 850 mΩ, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:08
Chine Transistor MOSFET FDD8896 de puissance élevée Transistor MOSFET 30V, 94A, 4.7mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD8896 de puissance élevée Transistor MOSFET 30V, 94A, 4.7mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET 30V, 94A, 4.7mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDD8896 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnem... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:16:07
Chine Transistor MOSFET FDD8880 de puissance élevée Transistor MOSFET 30V, 58A, 9mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD8880 de puissance élevée Transistor MOSFET 30V, 58A, 9mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Chine Transistor MOSFET FDD8876 de puissance élevée Transistor MOSFET 30V, 73A, 8.2mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD8876 de puissance élevée Transistor MOSFET 30V, 73A, 8.2mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Chine Transistor MOSFET FDD8870 de puissance élevée Transistor MOSFET 30V, 160A, 3.9mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDD8870 de puissance élevée Transistor MOSFET 30V, 160A, 3.9mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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