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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDC5614P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, niveau de logique, 60V -3A, 105mΩ usine

Transistor MOSFET FDC5614P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, niveau de logique, 60V -3A, 105mΩ
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Transistor MOSFET de ® de PowerTrench de P-canal du transistor MOSFET FDC5614P de puissance élevée, niveau de logique, 60V -3A, 105mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:50
Chine Transistor MOSFET FDC5612 de puissance élevée Transistor MOSFET 60V 4.3A, 55mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDC5612 de puissance élevée Transistor MOSFET 60V 4.3A, 55mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:15:50
Chine Transistor MOSFET FDC3612 de puissance élevée Transistor MOSFET 100V 2.6A, 125mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDC3612 de puissance élevée Transistor MOSFET 100V 2.6A, 125mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:15:50
Chine Transistor MOSFET FDC3601N de puissance élevée Le double N-canal 100V a spécifié le transistor MOSFET 1.0A, 500mΩ de PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDC3601N de puissance élevée Le double N-canal 100V a spécifié le transistor MOSFET 1.0A, 500mΩ de PowerTrench<sup>®</sup>
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N-canal élevé 100V du transistor MOSFET FDC3601N de puissance le double a spécifié le transistor MOSFET 1.0A, 500mΩ de ® de PowerTrench [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:50
Chine Transistor MOSFET FDC3512 de puissance élevée Transistor MOSFET 80V 3.0A, 77mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDC3512 de puissance élevée Transistor MOSFET 80V 3.0A, 77mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:15:50
Chine Transistor MOSFET FDC30N20DZ de puissance élevée Double transistor MOSFET du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 30V, 4.6A, 31mΩ usine

Transistor MOSFET FDC30N20DZ de puissance élevée Double transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 30V, 4.6A, 31mΩ
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Transistor MOSFET élevé de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDC30N20DZ de puissance double, 30V, 4.6A, 31mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:49
Chine Transistor MOSFET FDC2612 de puissance élevée Transistor MOSFET 200V 1.1A, 725mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDC2612 de puissance élevée Transistor MOSFET 200V 1.1A, 725mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET 200V 1.1A, 725mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDC2612 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionne... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:49
Chine Transistor MOSFET FDBL9406-F085T6 de puissance élevée MΩ 1,21 simple du PÉAGE 40 V de N-canal 259 A usine

Transistor MOSFET FDBL9406-F085T6 de puissance élevée MΩ 1,21 simple du PÉAGE 40 V de N-canal 259 A
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MΩ 1,21 simple élevé du PÉAGE 40 V de N-canal du transistor MOSFET FDBL9406-F085T6 de puissance 259 A [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:49
Chine Transistor MOSFET FDBL9403-F085T6 de puissance élevée MΩ simple 325 A du PÉAGE 40 V 0,95 de N-canal usine

Transistor MOSFET FDBL9403-F085T6 de puissance élevée MΩ simple 325 A du PÉAGE 40 V 0,95 de N-canal
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MΩ simple élevé 325 A du PÉAGE 40 V 0,95 de N-canal du transistor MOSFET FDBL9403-F085T6 de puissance [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
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Chine Transistor MOSFET FDBL9401-F085T6 de puissance élevée MΩ simple du N-canal 40 V 0,67, 240 A usine

Transistor MOSFET FDBL9401-F085T6 de puissance élevée MΩ simple du N-canal 40 V 0,67, 240 A
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MΩ simple élevé du N-canal 40 V 0,67 du transistor MOSFET FDBL9401-F085T6 de puissance, 240 A [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:49
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