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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FQD3P50 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -500 V, -2,1 A, 4,9 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD3P50 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -500 V, -2,1 A, 4,9 Ω, DPAK
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P-canal du transistor MOSFET FQD3P50 de puissance élevée, ® de QFET, -500 V, -2,1 A, 4,9 Ω, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:52:29
Chine Transistor MOSFET FQD3N60CTM-WS de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 600 V, 2,4 A, 3,4 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD3N60CTM-WS de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 600 V, 2,4 A, 3,4 Ω, DPAK
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2022-05-30 21:52:29
Chine Transistor MOSFET FQD30N06 de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 60 V, 22,7 A, 45 mΩ, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD30N06 de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 22,7 A, 45 mΩ, DPAK
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Chine Transistor MOSFET FQD2P40 de puissance élevée P-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -400 V, -1,56 A, 6,5 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD2P40 de puissance élevée P-canal QFET<sup>®</sup>, -400 V, -1,56 A, 6,5 Ω, DPAK
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2022-05-30 21:52:29
Chine Transistor MOSFET FQD2N90 de puissance élevée N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD2N90 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 900 V, 1,7 A, 7,2 Ω, DPAK
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Chine Transistor MOSFET FQD20N06 de puissance élevée N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 60 V, 16,8 A, 63 mΩ, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD20N06 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 60 V, 16,8 A, 63 mΩ, DPAK
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Chine Transistor MOSFET FQD1N80 de puissance élevée N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD1N80 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 800 V, 1,0 A, 20 Ω, DPAK
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2022-05-30 21:52:28
Chine Transistor MOSFET FQD1N60C de puissance élevée N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD1N60C de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 600 V, 1 A, 11,5 Ω, DPAK
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2022-05-30 21:52:28
Chine Transistor MOSFET FQD19N10L de puissance élevée Niveau de logique de N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 100 V, 15,6 A, 100 mΩ, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD19N10L de puissance élevée Niveau de logique de N-canal, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 15,6 A, 100 mΩ, DPAK
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Niveau de logique de N-canal du transistor MOSFET FQD19N10L de puissance élevée, ® de QFET, 100 V, 15,6 A, 100 mΩ, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
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Chine Transistor MOSFET FQD19N10 de puissance élevée N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 100 V, 15,6 A, 63 mΩ, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD19N10 de puissance élevée N-canal QFET<sup>®</sup>, 100 V, 15,6 A, 63 mΩ, DPAK
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