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Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon

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Transistor MOSFET FQD7N10L de puissance élevée Niveau de logique de N-canal, QFET®, 100 V, 5,8 A, 350 mΩ, DPAK
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Niveau de logique de N-canal du transistor MOSFET FQD7N10L de puissance élevée, ® de QFET, 100 V, 5,8 A, 350 mΩ, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisio... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:52:31

Transistor MOSFET FQD6N40C de puissance élevée N-canal QFET® 400 V, 4,5 A, 1,0 Ω, DPAK
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® 400 V, 4,5 A, 1,0 Ω, DPAK du N-canal QFET du transistor MOSFET FQD6N40C de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:52:31

Transistor MOSFET FQD6N25 de puissance élevée N-canal, QFET®, 250 V, 4,4 A, 1 Ω, DPAK
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N-canal du transistor MOSFET FQD6N25 de puissance élevée, ® de QFET, 250 V, 4,4 A, 1 Ω, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:52:31

Transistor MOSFET FQD5P20 de puissance élevée Ω de la Manche QFET® 200V 3.7A 1,4 de P, DPAK
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Ω du ® 200V 3.7A 1,4 de la Manche QFET du transistor MOSFET FQD5P20 P de puissance élevée, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

2022-05-30 21:52:30

Transistor MOSFET FQD5P10 de puissance élevée P-canal QFET®, -100 V, -3,6 A, 1,05 Ω, DPAK
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® du P-canal QFET du transistor MOSFET FQD5P10 de puissance élevée, -100 V, -3,6 A, 1,05 Ω, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

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Transistor MOSFET FQD5N60C de puissance élevée N-canal QFET®, 600 V, 2,8 A, 2,5 Ω, DPAK
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® du N-canal QFET du transistor MOSFET FQD5N60C de puissance élevée, 600 V, 2,8 A, 2,5 Ω, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

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Transistor MOSFET FQD5N20L de puissance élevée N-canal, niveau de logique, QFET®, 200 V, 3,8 A, 1,2 Ω, DPAK
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N-canal du transistor MOSFET FQD5N20L de puissance élevée, niveau de logique, ® de QFET, 200 V, 3,8 A, 1,2 Ω, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionne... Lire la suite meilleur prix

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Transistor MOSFET FQD5N15 de puissance élevée N-canal, QFET®, 150 V, 4,3 A, 800 mΩ, DPAK
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N-canal du transistor MOSFET FQD5N15 de puissance élevée, ® de QFET, 150 V, 4,3 A, 800 mΩ, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

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Transistor MOSFET FQD4P40 de puissance élevée P-canal, QFET®, -400 V, -2,7 A, 3,1 Ω, DPAK
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P-canal du transistor MOSFET FQD4P40 de puissance élevée, ® de QFET, -400 V, -2,7 A, 3,1 Ω, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix

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Transistor MOSFET FQD4P25TM_WS de puissance élevée Transistor MOSFET -250V, -3.1A, 2.1Ω du P-canal QFET®
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Transistor MOSFET -250V, -3.1A, 2.1Ω de ® du P-canal QFET du transistor MOSFET FQD4P25TM_WS de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnemen... Lire la suite meilleur prix

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