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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDPF085N10A de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 40A, 8.5mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> usine

Transistor MOSFET FDPF085N10A de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 40A, 8.5mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET 100V, 40A, 8.5mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDPF085N10A de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:28
Chine Transistor MOSFET FDPF045N10A de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 67A, 4.5mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDPF045N10A de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 67A, 4.5mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 21:58:28
Chine Transistor MOSFET FDPF041N06BL1-F154 de puissance élevée Transistor MOSFET 60 V, 77 A, du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; mΩ 4,1 usine

Transistor MOSFET FDPF041N06BL1-F154 de puissance élevée Transistor MOSFET 60 V, 77 A, du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> mΩ 4,1
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Transistor MOSFET 60 V, 77 A, de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDPF041N06BL1-F154 de puissance élevée mΩ 4,1 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:28
Chine Transistor MOSFET FDPF035N06B-F154 de puissance élevée Transistor MOSFET de PowerTrench® de N-canal usine

Transistor MOSFET FDPF035N06B-F154 de puissance élevée Transistor MOSFET de PowerTrench® de N-canal
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Transistor MOSFET de PowerTrench® de N-canal du transistor MOSFET FDPF035N06B-F154 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:28
Chine Transistor MOSFET FQD8P10TM_F085 100V 6.6A 530mΩ, P-canal QFET® de puissance élevée de DPAK&lt;BR&gt; usine

Transistor MOSFET FQD8P10TM_F085 100V 6.6A 530mΩ, P-canal QFET® de puissance élevée de DPAK<BR>
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Transistor MOSFET FQD8P10TM_F085 100V 6.6A 530mΩ, DPAK de puissance élevéeP-canal QFET® [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:52:32
Chine Transistor MOSFET FQD8P10 de puissance élevée P-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -100 V, -6,6 A, 530 mΩ, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD8P10 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -100 V, -6,6 A, 530 mΩ, DPAK
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2022-05-30 21:52:31
Chine Transistor MOSFET FQD7P20 de puissance élevée P-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -200 V, -5,7 A, 690 mΩ, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD7P20 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -200 V, -5,7 A, 690 mΩ, DPAK
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2022-05-30 21:52:31
Chine Transistor MOSFET FQD7P06 de puissance élevée P-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -60 V, -5,4 A, 450 mΩ, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD7P06 de puissance élevée P-canal, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -5,4 A, 450 mΩ, DPAK
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P-canal du transistor MOSFET FQD7P06 de puissance élevée, ® de QFET, -60 V, -5,4 A, 450 mΩ, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:52:31
Chine Transistor MOSFET FQD7N30 de puissance élevée N-canal, QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 300 V, 5,5 A, 700 mΩ, DPAK usine

Transistor MOSFET FQD7N30 de puissance élevée N-canal, QFET<sup>®</sup>, 300 V, 5,5 A, 700 mΩ, DPAK
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N-canal du transistor MOSFET FQD7N30 de puissance élevée, ® de QFET, 300 V, 5,5 A, 700 mΩ, DPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:52:31
Chine Transistor MOSFET FQD7N20L de puissance élevée Niveau QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 200 V, 5,5 A, 750 mΩ, DPAK de logique de N-canal usine

Transistor MOSFET FQD7N20L de puissance élevée Niveau QFET<sup>®</sup> 200 V, 5,5 A, 750 mΩ, DPAK de logique de N-canal
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® 200 V, 5,5 A, 750 mΩ, DPAK du niveau QFET de logique de N-canal du transistor MOSFET FQD7N20L de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionn... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:52:31
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