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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDMS7608S de puissance élevée Double transistor MOSFET 30V du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> usine

Transistor MOSFET FDMS7608S de puissance élevée Double transistor MOSFET 30V du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET élevé 30V de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDMS7608S de puissance double [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:11:29
Chine Transistor MOSFET FDMS7602S de puissance élevée Double transistor MOSFET 30V, 30A du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDMS7602S de puissance élevée Double transistor MOSFET 30V, 30A du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:11:29
Chine Transistor MOSFET FDMS6673BZ de puissance élevée P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 30V 82A 6.8mΩ usine

Transistor MOSFET FDMS6673BZ de puissance élevée P-canal PowerTrench<sup>®</sup> 30V 82A 6.8mΩ
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2022-05-30 22:11:29
Chine Transistor MOSFET FDMS5672 de puissance élevée N-canal UltraFET Trench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 60V 22A 11.5mΩ usine

Transistor MOSFET FDMS5672 de puissance élevée N-canal UltraFET Trench<sup>®</sup> 60V 22A 11.5mΩ
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® 60V 22A 11.5mΩ de fossé d'UltraFET de N-canal du transistor MOSFET FDMS5672 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:11:29
Chine Transistor MOSFET FDMS5352 de puissance élevée Transistor MOSFET 60V 49A 6.7mΩ de la puissance Trench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; de N-canal usine

Transistor MOSFET FDMS5352 de puissance élevée Transistor MOSFET 60V 49A 6.7mΩ de la puissance Trench<sup>®</sup> de N-canal
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2022-05-30 22:11:28
Chine Transistor MOSFET FDMS4D5N08LC de puissance élevée la Manche simple de 80V N 116A 4.2mΩ en paquet de la puissance 56 usine

Transistor MOSFET FDMS4D5N08LC de puissance élevée la Manche simple de 80V N 116A 4.2mΩ en paquet de la puissance 56
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La Manche simple élevée du transistor MOSFET FDMS4D5N08LC 80V N de puissance 116A 4.2mΩ en paquet de la puissance 56 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvision... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:11:28
Chine Transistor MOSFET FDMS4D4N08C de puissance élevée Porte protégée parcanal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 80V 123A 4.3mΩ usine

Transistor MOSFET FDMS4D4N08C de puissance élevée Porte protégée parcanal PowerTrench<sup>®</sup> 80V 123A 4.3mΩ
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® 80V 123A 4.3mΩ de PowerTrench de porte protégé parcanal du transistor MOSFET FDMS4D4N08C de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:11:28
Chine Transistor MOSFET FDMS4D0N12C de puissance élevée Le N-canal a protégé le transistor MOSFET 120V, 118A, 4.0mΩ de PowerTrench® de porte usine

Transistor MOSFET FDMS4D0N12C de puissance élevée Le N-canal a protégé le transistor MOSFET 120V, 118A, 4.0mΩ de PowerTrench® de porte
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2022-05-30 22:11:28
Chine Transistor MOSFET FDMS4435BZ de puissance élevée Transistor MOSFET -30V, -18A, 20mΩ du P-canal PowerTrench&lt;SUP&gt;®&lt;/SUP&gt; usine

Transistor MOSFET FDMS4435BZ de puissance élevée Transistor MOSFET -30V, -18A, 20mΩ du P-canal PowerTrench<SUP>®</SUP>
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Transistor MOSFET -30V, -18A, 20mΩ de ® de PowerTrench de P-canal du transistor MOSFET FDMS4435BZ de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisio... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:11:28
Chine Transistor MOSFET FDMS3D5N08LC de puissance élevée la Manche simple de 80V N 136A 3.5mΩ en paquet de la puissance 56 usine

Transistor MOSFET FDMS3D5N08LC de puissance élevée la Manche simple de 80V N 136A 3.5mΩ en paquet de la puissance 56
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2022-05-30 22:11:27
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