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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDB2614 de puissance élevée Transistor MOSFET 200V, 62A, 27mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> usine

Transistor MOSFET FDB2614 de puissance élevée Transistor MOSFET 200V, 62A, 27mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET 200V, 62A, 27mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDB2614 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnem... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:41
Chine Transistor MOSFET FDB2572 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 29A, 54mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDB2572 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 29A, 54mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:15:41
Chine Transistor MOSFET FDB2552 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 37A, 36mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDB2552 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 37A, 36mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:15:41
Chine Transistor MOSFET FDB2532_F085 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 79A, 16mΩ de PowerTrench® de N-canal usine

Transistor MOSFET FDB2532_F085 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 79A, 16mΩ de PowerTrench® de N-canal
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Transistor MOSFET 150V, 79A, 16mΩ de PowerTrench® de N-canal du transistor MOSFET FDB2532_F085 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionne... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:41
Chine Transistor MOSFET FDB2532 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 79A, 16mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDB2532 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 79A, 16mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:15:41
Chine Transistor MOSFET FDB20N50F de puissance élevée N-canal UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt; FRFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 500V 20A 260mΩ D2PAK usine

Transistor MOSFET FDB20N50F de puissance élevée N-canal UniFET<sup>TM</sup> FRFET<sup>®</sup> 500V 20A 260mΩ D2PAK
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® 500V 20A 260mΩ D2PAK d'UniFETTM FRFET de N-canal du transistor MOSFET FDB20N50F de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:40
Chine Transistor MOSFET FDB1D7N10CL7 de puissance élevée Transistor MOSFET de puissance, N-canal, porte standard, 100 V, 268 A, mΩ 1,7 usine

Transistor MOSFET FDB1D7N10CL7 de puissance élevée Transistor MOSFET de puissance, N-canal, porte standard, 100 V, 268 A, mΩ 1,7
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Transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET FDB1D7N10CL7 de puissance élevée, N-canal, porte standard, 100 V, 268 A, mΩ 1,7 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:40
Chine Transistor MOSFET FDB16AN08A0 de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 75 V, 58 A, mΩ 16 usine

Transistor MOSFET FDB16AN08A0 de puissance élevée Transistor MOSFET du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 75 V, 58 A, mΩ 16
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Transistor MOSFET de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDB16AN08A0 de puissance élevée, 75 V, 58 A, mΩ 16 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:40
Chine Transistor MOSFET FDB15N50 de puissance élevée Transistor MOSFET de puissance, N-canal, UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt;, 500 V, 15 A, 380 mΩ, D2PAK usine

Transistor MOSFET FDB15N50 de puissance élevée Transistor MOSFET de puissance, N-canal, UniFET<sup>TM</sup>, 500 V, 15 A, 380 mΩ, D2PAK
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Transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET FDB15N50 de puissance élevée, N-canal, UniFETTM, 500 V, 15 A, 380 mΩ, D2PAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:40
Chine Transistor MOSFET FDB150N10 de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 57A, 15mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDB150N10 de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 57A, 15mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET 100V, 57A, 15mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDB150N10 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionn... Lire la suite meilleur prix
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