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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDB070AN06A0 de puissance élevée Transistor MOSFET 60V, 80A, 7mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> usine

Transistor MOSFET FDB070AN06A0 de puissance élevée Transistor MOSFET 60V, 80A, 7mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET 60V, 80A, 7mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDB070AN06A0 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvision... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:15:38
Chine Transistor MOSFET FDB0690N1507L de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 115A, 6.9mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDB0690N1507L de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 115A, 6.9mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:15:38
Chine Transistor MOSFET FDB0630N1507L de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 130A, 6.4mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDB0630N1507L de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 130A, 6.4mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Chine Transistor MOSFET FDB060AN08A0 de puissance élevée Transistor MOSFET 75V, 80A, 6mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDB060AN08A0 de puissance élevée Transistor MOSFET 75V, 80A, 6mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Chine Transistor MOSFET FDB050AN06A0 de puissance élevée Transistor MOSFET 60V, 80A, 5mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDB050AN06A0 de puissance élevée Transistor MOSFET 60V, 80A, 5mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Chine Transistor MOSFET FDB047N10 de puissance élevée MΩ du N-canal QFET&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 100 V 164 A 4,7, D2PAK usine

Transistor MOSFET FDB047N10 de puissance élevée MΩ du N-canal QFET<sup>®</sup> 100 V 164 A 4,7, D2PAK
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Chine Transistor MOSFET FDB045AN08_F085 de puissance élevée Transistor MOSFET 75 V, 80 A, du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; mΩ 3,9 usine

Transistor MOSFET FDB045AN08_F085 de puissance élevée Transistor MOSFET 75 V, 80 A, du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> mΩ 3,9
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Chine Transistor MOSFET FDB045AN08A0 de puissance élevée Transistor MOSFET 75 V, 80 A, du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; mΩ 4,5 usine

Transistor MOSFET FDB045AN08A0 de puissance élevée Transistor MOSFET 75 V, 80 A, du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> mΩ 4,5
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2022-05-30 22:15:37
Chine Transistor MOSFET FDB035N10A de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 214A, 3.5mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDB035N10A de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 214A, 3.5mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Chine Transistor MOSFET FDB035AN06A0 de puissance élevée Transistor MOSFET 60 V, 80 A, du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; mΩ 3,5 usine

Transistor MOSFET FDB035AN06A0 de puissance élevée Transistor MOSFET 60 V, 80 A, du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> mΩ 3,5
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