logo
Envoyer le message

Multi-produits d'Intergrate, plein service d'étapes,
Contrôle de haute qualité, fullfillment du besoin des clients

 
Ventes & Support
Demande de soumission - Email
Select Language
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
Maison
Produits
Au sujet de nous
Visite d'usine
Contrôle de qualité
Contactez-nous
Demande de soumission
Aperçu Produits

Transistor MOSFET de puissance élevée

Tous les produits
Crystal Electronic Component (67)
Diodes et transistors électroniques (26)
Unité MCU de microcontrôleur (33)
Stockage de données de mémoire instantanée (20)
Connecteur de panneau de carte PCB (21)
Circuit intégré de SMD (159)
Module électronique de Digital (6)
Transistor MOSFET de puissance élevée (2119)
Optoélectronique LED (21)
Composants électroniques passifs (21)
Circuit imprimé flexible de Fpc (6)
Service d'Assemblée de carte PCB (2)
Panneau électronique d'affichage numérique (6)
Relais de puissance de signal (12)
Interrupteur à positions multiples de SMD (25)
Outils de promoteur (6)
Câble d'UL (2)
Capteurs de composant électronique (20)
ensembles de bague collectrice (13)
Je suis en ligne une discussion en ligne
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
1 2 3 4 5

Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDT86246 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 2A, 236mΩ de la puissance Trench<sup>®</sup> de N-canal usine

Transistor MOSFET FDT86246 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 2A, 236mΩ de la puissance Trench<sup>®</sup> de N-canal
Contact

Transistor MOSFET 150V, 2A, 236mΩ de ® de fossé de puissance de N-canal du transistor MOSFET FDT86246 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:46
Chine Transistor MOSFET FDT86244 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 2.8A, 128mΩ de la puissance Trench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; de N-canal usine

Transistor MOSFET FDT86244 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 2.8A, 128mΩ de la puissance Trench<sup>®</sup> de N-canal
Contact

Transistor MOSFET 150V, 2.8A, 128mΩ de ® de fossé de puissance de N-canal du transistor MOSFET FDT86244 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:46
Chine Transistor MOSFET FDT86113LZ de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 3.3A, 100mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDT86113LZ de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 3.3A, 100mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
Contact

Transistor MOSFET 100V, 3.3A, 100mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDT86113LZ de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:45
Chine Transistor MOSFET FDT86106LZ de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 3.2A, 108mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDT86106LZ de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 3.2A, 108mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
Contact

Transistor MOSFET 100V, 3.2A, 108mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDT86106LZ de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:45
Chine Transistor MOSFET FDT86102LZ de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 6.6A, 28mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDT86102LZ de puissance élevée Transistor MOSFET 100V, 6.6A, 28mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
Contact

Transistor MOSFET 100V, 6.6A, 28mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDT86102LZ de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisio... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:45
Chine Transistor MOSFET FDT4N50NZU de puissance élevée UniFET II ultra FRFET 500 V, 2 A, 3,0 Ω, SOT223 usine

Transistor MOSFET FDT4N50NZU de puissance élevée UniFET II ultra FRFET 500 V, 2 A, 3,0 Ω, SOT223
Contact

Transistor MOSFET FDT4N50NZU UniFET II ultra FRFET 500 V, 2 A, 3,0 Ω, SOT223 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:45
Chine Transistor MOSFET FDT458P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 30V, -3.4A, 130mΩ usine

Transistor MOSFET FDT458P de puissance élevée Transistor MOSFET du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 30V, -3.4A, 130mΩ
Contact

Transistor MOSFET de ® de PowerTrench de P-canal du transistor MOSFET FDT458P de puissance élevée, 30V, -3.4A, 130mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvision... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:45
Chine Transistor MOSFET FDT457N de puissance élevée Transistor à effet de champ de mode d&#039;amélioration de N-canal 30V, 5A, 60mΩ usine

Transistor MOSFET FDT457N de puissance élevée Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal 30V, 5A, 60mΩ
Contact

Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal du transistor MOSFET FDT457N de puissance élevée 30V, 5A, 60mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:45
Chine Transistor MOSFET FDT439N de puissance élevée Le N-canal 2.5V a spécifié le transistor à effet de champ de mode d&#039;amélioration 30V, 6.3A, 45mΩ usine

Transistor MOSFET FDT439N de puissance élevée Le N-canal 2.5V a spécifié le transistor à effet de champ de mode d'amélioration 30V, 6.3A, 45mΩ
Contact

Le N-canal 2.5V du transistor MOSFET FDT439N de puissance élevée a spécifié le transistor à effet de champ de mode d'amélioration 30V, 6.3A, 45mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:44
Chine Transistor MOSFET FDT3N40 de puissance élevée UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt;, 400V, 2A, 3.4Ω, SOT-223 usine

Transistor MOSFET FDT3N40 de puissance élevée UniFET<sup>TM</sup>, 400V, 2A, 3.4Ω, SOT-223
Contact

Transistor MOSFET FDT3N40 UniFETTM, 400V, 2A, 3.4Ω, SOT-223 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants électronique... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:44
Page 66 of 212|< 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 >|
Au sujet de nous
Circuit intégré de SMD
Stockage de données de mémoire instantanée
Unité MCU de microcontrôleur
Contactez-nous
Site mobile
Politique de confidentialité | Chine Bon Qualité Crystal Electronic Component Fournisseur. © 2022 - 2025 componentelec.com. All Rights Reserved.