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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDWS86068-F085 de puissance élevée N-canal PowerTrench<sup>®</sup> 100V 80A 4.5mΩ usine

Transistor MOSFET FDWS86068-F085 de puissance élevée N-canal PowerTrench<sup>®</sup> 100V 80A 4.5mΩ
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2022-05-30 21:58:47
Chine Transistor MOSFET FDV305N de puissance élevée N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 20V 0.9A 220mΩ usine

Transistor MOSFET FDV305N de puissance élevée N-canal PowerTrench<sup>®</sup> 20V 0.9A 220mΩ
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2022-05-30 21:58:47
Chine Transistor MOSFET FDV304P de puissance élevée FET -25V, -0.46A, 1.1Ω de Digital de P-canal usine

Transistor MOSFET FDV304P de puissance élevée FET -25V, -0.46A, 1.1Ω de Digital de P-canal
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FET -25V, -0.46A, 1.1Ω de Digital de P-canal du transistor MOSFET FDV304P de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:47
Chine Transistor MOSFET FDV303N de puissance élevée FET 25V, 0.68A, 0.45Ω de Digital de N-canal usine

Transistor MOSFET FDV303N de puissance élevée FET 25V, 0.68A, 0.45Ω de Digital de N-canal
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2022-05-30 21:58:47
Chine Transistor MOSFET FDV301N de puissance élevée FET 25V, 0.22A, 4Ω de Digital de N-canal usine

Transistor MOSFET FDV301N de puissance élevée FET 25V, 0.22A, 4Ω de Digital de N-canal
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2022-05-30 21:58:47
Chine Transistor MOSFET FDU5N60NZTU de puissance élevée N-canal, UniFETTM II, 600 V, 4 A, 2 Ω, IPAK usine

Transistor MOSFET FDU5N60NZTU de puissance élevée N-canal, UniFETTM II, 600 V, 4 A, 2 Ω, IPAK
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2022-05-30 21:58:47
Chine Transistor MOSFET FDU5N50NZTU de puissance élevée N-canal, UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt; II, 500 V, 4 A, 1,5 Ω, IPAK usine

Transistor MOSFET FDU5N50NZTU de puissance élevée N-canal, UniFET<sup>TM</sup> II, 500 V, 4 A, 1,5 Ω, IPAK
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2022-05-30 21:58:46
Chine Transistor MOSFET FDU3N40 de puissance élevée N-canal, UniFET&lt;sup&gt;TM&lt;/sup&gt;, 400V, 2A, 3.4Ω, IPAK usine

Transistor MOSFET FDU3N40 de puissance élevée N-canal, UniFET<sup>TM</sup>, 400V, 2A, 3.4Ω, IPAK
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N-canal du transistor MOSFET FDU3N40 de puissance élevée, UniFETTM, 400V, 2A, 3.4Ω, IPAK [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:58:46
Chine Transistor MOSFET FDT86256 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 1.2A, 845mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDT86256 de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 1.2A, 845mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Chine Transistor MOSFET FDT86246L de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 2A, 228mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDT86246L de puissance élevée Transistor MOSFET 150V, 2A, 228mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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