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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

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Chine Transistor MOSFET FDME1023PZT de puissance élevée Double transistor MOSFET -20V, -2.6A, 142mΩ du P-canal PowerTrench<sup>®</sup> usine

Transistor MOSFET FDME1023PZT de puissance élevée Double transistor MOSFET -20V, -2.6A, 142mΩ du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET élevé -20V, -2.6A, 142mΩ de ® de PowerTrench de P-canal du transistor MOSFET FDME1023PZT de puissance double [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:11:20
Chine Transistor MOSFET FDMD8680 de puissance élevée Double transistor MOSFET 60V, 66A, 4.7mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDMD8680 de puissance élevée Double transistor MOSFET 60V, 66A, 4.7mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET élevé 60V, 66A, 4.7mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDMD8680 de puissance double [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:11:20
Chine Transistor MOSFET FDMD8630 de puissance élevée Double transistor MOSFET 30 V, 167 A, du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; mΩ 1,0 usine

Transistor MOSFET FDMD8630 de puissance élevée Double transistor MOSFET 30 V, 167 A, du N-canal PowerTrench<sup>®</sup> mΩ 1,0
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Transistor MOSFET élevé 30 V, 167 A, de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDMD8630 de puissance double mΩ 1,0 [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:11:20
Chine Transistor MOSFET FDMD86100 de puissance élevée Porte protégée double parcanal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; 100V 39A 10.5mΩ usine

Transistor MOSFET FDMD86100 de puissance élevée Porte protégée double parcanal PowerTrench<sup>®</sup> 100V 39A 10.5mΩ
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® 100V 39A 10.5mΩ de PowerTrench de porte protégé double parcanal du transistor MOSFET FDMD86100 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvision... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:11:20
Chine Transistor MOSFET FDMD8440L de puissance élevée Double transistor MOSFET 40V, 87A, 2.6mΩ du N-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDMD8440L de puissance élevée Double transistor MOSFET 40V, 87A, 2.6mΩ du N-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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Transistor MOSFET élevé 40V, 87A, 2.6mΩ de ® de PowerTrench de N-canal du transistor MOSFET FDMD8440L de puissance double [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:11:20
Chine Transistor MOSFET FDMD8280 de puissance élevée Double transistor MOSFET 80V, 40A, 8.2mΩ de la puissance Trench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; de N-canal usine

Transistor MOSFET FDMD8280 de puissance élevée Double transistor MOSFET 80V, 40A, 8.2mΩ de la puissance Trench<sup>®</sup> de N-canal
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2022-05-30 22:11:20
Chine Transistor MOSFET FDMD8260LET60 de puissance élevée Double transistor MOSFET 60V, 5.8mΩ de la puissance Trench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; de N-canal usine

Transistor MOSFET FDMD8260LET60 de puissance élevée Double transistor MOSFET 60V, 5.8mΩ de la puissance Trench<sup>®</sup> de N-canal
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2022-05-30 22:11:19
Chine Transistor MOSFET FDMD8260L de puissance élevée Double transistor MOSFET 60V, 5.8mΩ de la puissance Trench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; de N-canal usine

Transistor MOSFET FDMD8260L de puissance élevée Double transistor MOSFET 60V, 5.8mΩ de la puissance Trench<sup>®</sup> de N-canal
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2022-05-30 22:11:19
Chine Transistor MOSFET FDMD8240LET40 de puissance élevée Double transistor MOSFET 40V, 103A, 2.6mΩ de la puissance Trench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; de N-canal usine

Transistor MOSFET FDMD8240LET40 de puissance élevée Double transistor MOSFET 40V, 103A, 2.6mΩ de la puissance Trench<sup>®</sup> de N-canal
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Transistor MOSFET élevé 40V, 103A, 2.6mΩ de ® de fossé de puissance de N-canal du transistor MOSFET FDMD8240LET40 de puissance double [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer ... Lire la suite meilleur prix
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Chine Transistor MOSFET FDMD8240L de puissance élevée Double transistor MOSFET 40V, 98A, 2.6mΩ de la puissance Trench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; de N-canal usine

Transistor MOSFET FDMD8240L de puissance élevée Double transistor MOSFET 40V, 98A, 2.6mΩ de la puissance Trench<sup>®</sup> de N-canal
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