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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

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Chine Transistor MOSFET NVBGS1D2N08H de puissance élevée Transistor MOSFET de puissance, 80 V, 1,2 mΩ, 353 A, N−Channel simple usine

Transistor MOSFET NVBGS1D2N08H de puissance élevée Transistor MOSFET de puissance, 80 V, 1,2 mΩ, 353 A, N−Channel simple
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Transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET NVBGS1D2N08H de puissance élevée, 80 V, 1,2 mΩ, 353 A, N−Channel simple [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:40
Chine MOSFET haute puissance NVBG160N120SC1 Carbure de silicium MOSFET canal N 1200 V 160 mΩ D2PAK−7L usine

MOSFET haute puissance NVBG160N120SC1 Carbure de silicium MOSFET canal N 1200 V 160 mΩ D2PAK−7L
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MOSFET haute puissance NVBG160N120SC1 MOSFET au carbure de silicium canal N 1200 V 160 mΩ D2PAK−7L [Who nous sommes?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd se concentre sur l'approvisionnement en semi... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:40
Chine MOSFET haute puissance NVBG080N120SC1 Carbure de silicium MOSFET canal N 1200 V 80 mΩ D2PAK−7L usine

MOSFET haute puissance NVBG080N120SC1 Carbure de silicium MOSFET canal N 1200 V 80 mΩ D2PAK−7L
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MOSFET haute puissance NVBG080N120SC1 MOSFET au carbure de silicium canal N 1200 V 80 mΩ D2PAK−7L [Who nous sommes?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd se concentre sur l'approvisionnement en semi... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:40
Chine Transistor MOSFET NVBG060N090SC1 de puissance élevée Transistor MOSFET de carbure de silicium, la Manche de ‐ de N, 900 V, 60 mΩ, D2PAK−7L usine

Transistor MOSFET NVBG060N090SC1 de puissance élevée Transistor MOSFET de carbure de silicium, la Manche de ‐ de N, 900 V, 60 mΩ, D2PAK−7L
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Transistor MOSFET de carbure de silicium du transistor MOSFET NVBG060N090SC1 de puissance élevée, la Manche de ‐ de N, 900 V, 60 mΩ, D2PAK−7L [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:40
Chine Transistor MOSFET NVBG020N120SC1 de puissance élevée MΩ D2PAK−7L de la Manche 1200 V 20 de ‐ du transistor MOSFET N de carbure de silicium usine

Transistor MOSFET NVBG020N120SC1 de puissance élevée MΩ D2PAK−7L de la Manche 1200 V 20 de ‐ du transistor MOSFET N de carbure de silicium
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MΩ D2PAK−7L de la Manche 1200 V 20 de ‐ du transistor MOSFET N de carbure de silicium du transistor MOSFET NVBG020N120SC1 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:40
Chine Transistor MOSFET NVBG020N090SC1 de puissance élevée MΩ D2PAK−7L de la Manche 900V 20 de ‐ du transistor MOSFET N de carbure de silicium usine

Transistor MOSFET NVBG020N090SC1 de puissance élevée MΩ D2PAK−7L de la Manche 900V 20 de ‐ du transistor MOSFET N de carbure de silicium
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MOSFET haute puissance NVBG020N090SC1 MOSFET au carbure de silicium canal N 900 V 20 mΩ D2PAK−7L [Who nous sommes?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd se concentre sur l'approvisionnement en semi... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:40
Chine Transistor MOSFET NVBG015N065SC1 de puissance élevée MΩ D2PAK−7L de la Manche 650V 12 de ‐ du transistor MOSFET N de carbure de silicium usine

Transistor MOSFET NVBG015N065SC1 de puissance élevée MΩ D2PAK−7L de la Manche 650V 12 de ‐ du transistor MOSFET N de carbure de silicium
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MΩ D2PAK−7L de la Manche 650V 12 de ‐ du transistor MOSFET N de carbure de silicium du transistor MOSFET NVBG015N065SC1 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:40
Chine MΩ 17,0 élevé du transistor MOSFET 40 V 27 A de puissance de N-canal du transistor MOSFET NVMFD5C478N de puissance double usine

MΩ 17,0 élevé du transistor MOSFET 40 V 27 A de puissance de N-canal du transistor MOSFET NVMFD5C478N de puissance double
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MΩ 17,0 élevé du transistor MOSFET 40 V 27 A de puissance de N-canal du transistor MOSFET NVMFD5C478N de puissance double [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:53:24
Chine Transistor MOSFET NVMFD5C470NL de puissance élevée Double transistor MOSFET 40V 36A 11.5mΩ de puissance de N−Channel usine

Transistor MOSFET NVMFD5C470NL de puissance élevée Double transistor MOSFET 40V 36A 11.5mΩ de puissance de N−Channel
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De puissance double N−Channel transistor MOSFET élevé 40V 36A 11.5mΩ de puissance du transistor MOSFET NVMFD5C470NL [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionn... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:53:24
Chine Transistor MOSFET NVMFD5C470N de puissance élevée 40 niveau 11,7 standard de double N-canal de mΩ de V 36 A usine

Transistor MOSFET NVMFD5C470N de puissance élevée 40 niveau 11,7 standard de double N-canal de mΩ de V 36 A
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Niveau 11,7 standard de double N-canal de mΩ du transistor MOSFET NVMFD5C470N 40 V 36 A de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:53:24
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