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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

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Chine Transistor MOSFET NVD3055-094 de puissance élevée Transistor MOSFET 60V 12A 94mΩ de puissance de N-canal usine

Transistor MOSFET NVD3055-094 de puissance élevée Transistor MOSFET 60V 12A 94mΩ de puissance de N-canal
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Transistor MOSFET 60V 12A 94mΩ de puissance de N-canal du transistor MOSFET NVD3055-094 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:44
Chine Transistor MOSFET NVD2955 de puissance élevée P-canal simple DPAK de mOhm de 60V -12A 180 usine

Transistor MOSFET NVD2955 de puissance élevée P-canal simple DPAK de mOhm de 60V -12A 180
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MOSFET haute puissance NVD2955 60V -12A 180 mOhm canal P simple DPAK [Who nous sommes?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd se concentre sur l'approvisionnement en semi-conducteurs et la vente et le service ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:44
Chine Transistor MOSFET NVD260N65S3 de puissance élevée MΩ facile DPAK du lecteur 650 V 12 A 260 du N-canal SUPERFET® III simple usine

Transistor MOSFET NVD260N65S3 de puissance élevée MΩ facile DPAK du lecteur 650 V 12 A 260 du N-canal SUPERFET® III simple
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MΩ facile DPAK du lecteur 650 V 12 A 260 du N-canal SUPERFET® III simple du transistor MOSFET NVD260N65S3 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:43
Chine Transistor MOSFET NVCW3SS0D5N03CLA de puissance élevée Le niveau 30V 0.52mΩ de logique de N-canal nu meurent usine

Transistor MOSFET NVCW3SS0D5N03CLA de puissance élevée Le niveau 30V 0.52mΩ de logique de N-canal nu meurent
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Matrice nue élevée du niveau 30V 0.52mΩ de logique de N-canal du transistor MOSFET NVCW3SS0D5N03CLA de puissance [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionneme... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:43
Chine Transistor MOSFET NVCR4LS3D6N08M7A de puissance élevée Le mΩ du N-canal 80 V 3,6 nu meurent usine

Transistor MOSFET NVCR4LS3D6N08M7A de puissance élevée Le mΩ du N-canal 80 V 3,6 nu meurent
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MOSFET haute puissance NVCR4LS3D6N08M7A canal N 80 V 3,6 mΩ matrice nue [Who nous sommes?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd se concentre sur l'approvisionnement en semi-conducteurs et la vente et le ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:43
Chine Transistor MOSFET NVCR4LS2D8N08M7A de puissance élevée Le mΩ du N-canal 80 V 2,8 nu meurent usine

Transistor MOSFET NVCR4LS2D8N08M7A de puissance élevée Le mΩ du N-canal 80 V 2,8 nu meurent
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Le mΩ du N-canal 80 V 2,8 du transistor MOSFET NVCR4LS2D8N08M7A de puissance élevée nu meurent [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:43
Chine Transistor MOSFET NVCR4LS1D7N08M7A de puissance élevée Le mΩ 1,75 du N-canal 80 V, nu meurent usine

Transistor MOSFET NVCR4LS1D7N08M7A de puissance élevée Le mΩ 1,75 du N-canal 80 V, nu meurent
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Le mΩ 1,75 du N-canal 80 V du transistor MOSFET NVCR4LS1D7N08M7A de puissance élevée, nu meurent [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:43
Chine Transistor MOSFET NVC080N120SC1 de puissance élevée Le transistor MOSFET de carbure de silicium, la Manche de ‐ de N, 1200 V, le mΩ 80, nu meurent usine

Transistor MOSFET NVC080N120SC1 de puissance élevée Le transistor MOSFET de carbure de silicium, la Manche de ‐ de N, 1200 V, le mΩ 80, nu meurent
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Le transistor MOSFET de carbure de silicium du transistor MOSFET NVC080N120SC1 de puissance élevée, la Manche de ‐ de N, 1200 V, le mΩ 80, nu meurent [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:43
Chine Transistor MOSFET NVC040N120SC1 de puissance élevée Le transistor MOSFET de carbure de silicium, la Manche de ‐ de N, 1200 V, le mΩ 40, nu meurent usine

Transistor MOSFET NVC040N120SC1 de puissance élevée Le transistor MOSFET de carbure de silicium, la Manche de ‐ de N, 1200 V, le mΩ 40, nu meurent
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MOSFET haute puissance NVC040N120SC1 MOSFET au carbure de silicium, canal N, 1 200 V, 40 mΩ, matrice nue [Who nous sommes?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd se concentre sur l'approvisionnement en semi... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:43
Chine Transistor MOSFET NVC020N120SC1 de puissance élevée Le transistor MOSFET de carbure de silicium, la Manche de ‐ de N, 1200 V, le mΩ 20, nu meurent usine

Transistor MOSFET NVC020N120SC1 de puissance élevée Le transistor MOSFET de carbure de silicium, la Manche de ‐ de N, 1200 V, le mΩ 20, nu meurent
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Le transistor MOSFET de carbure de silicium du transistor MOSFET NVC020N120SC1 de puissance élevée, la Manche de ‐ de N, 1200 V, le mΩ 20, nu meurent [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co... Lire la suite meilleur prix
2022-05-26 17:59:43
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