logo
Envoyer le message

Multi-produits d'Intergrate, plein service d'étapes,
Contrôle de haute qualité, fullfillment du besoin des clients

 
Ventes & Support
Demande de soumission - Email
Select Language
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
Maison
Produits
Au sujet de nous
Visite d'usine
Contrôle de qualité
Contactez-nous
Demande de soumission
Aperçu Produits

Transistor MOSFET de puissance élevée

Tous les produits
Crystal Electronic Component (67)
Diodes et transistors électroniques (26)
Unité MCU de microcontrôleur (33)
Stockage de données de mémoire instantanée (20)
Connecteur de panneau de carte PCB (21)
Circuit intégré de SMD (159)
Module électronique de Digital (6)
Transistor MOSFET de puissance élevée (2119)
Optoélectronique LED (21)
Composants électroniques passifs (21)
Circuit imprimé flexible de Fpc (6)
Service d'Assemblée de carte PCB (2)
Panneau électronique d'affichage numérique (6)
Relais de puissance de signal (12)
Interrupteur à positions multiples de SMD (25)
Outils de promoteur (6)
Câble d'UL (2)
Capteurs de composant électronique (20)
ensembles de bague collectrice (13)
Je suis en ligne une discussion en ligne
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
1 2 3 4 5

Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET NTHD3102C de puissance élevée ChipFET™ complémentaire 20V usine

Transistor MOSFET NTHD3102C de puissance élevée ChipFET™ complémentaire 20V
Contact

Transistor MOSFET NTHD3102C ChipFET™ complémentaire 20V de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants électroniques ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:21
Chine Transistor MOSFET NTHD3101F de puissance élevée P-canal ChipFET™ et diode -20V -4.4A 80mΩ de Schottky usine

Transistor MOSFET NTHD3101F de puissance élevée P-canal ChipFET™ et diode -20V -4.4A 80mΩ de Schottky
Contact

P-canal ChipFET™ du transistor MOSFET NTHD3101F de puissance élevée et diode -20V -4.4A 80mΩ de Schottky [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:21
Chine Transistor MOSFET NTHD3100C de puissance élevée ChipFET™ complémentaire 20V usine

Transistor MOSFET NTHD3100C de puissance élevée ChipFET™ complémentaire 20V
Contact

Transistor MOSFET NTHD3100C ChipFET™ complémentaire 20V de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants électroniques ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:21
Chine Transistor MOSFET NTHC5513 de puissance élevée ChipFET™ complémentaire 20V usine

Transistor MOSFET NTHC5513 de puissance élevée ChipFET™ complémentaire 20V
Contact

Transistor MOSFET NTHC5513 ChipFET™ complémentaire 20V de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants électroniques ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:21
Chine Transistor MOSFET NTH4LN095N65S3H de puissance élevée N-canal SUPERFET® III 650V RAPIDE 30A 95mΩ TO-247 4lead étroit usine

Transistor MOSFET NTH4LN095N65S3H de puissance élevée N-canal SUPERFET® III 650V RAPIDE 30A 95mΩ TO-247 4lead étroit
Contact

N-canal SUPERFET® III 650V RAPIDE 30A 95mΩ TO-247 4lead étroit du transistor MOSFET NTH4LN095N65S3H de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:21
Chine Transistor MOSFET NTH4LN067N65S3H de puissance élevée N-canal SUPERFET® III, RAPIDEMENT, 650 V, 40 A, 67 mΩ, TO-247 4lead étroit usine

Transistor MOSFET NTH4LN067N65S3H de puissance élevée N-canal SUPERFET® III, RAPIDEMENT, 650 V, 40 A, 67 mΩ, TO-247 4lead étroit
Contact

N-canal SUPERFET® III du transistor MOSFET NTH4LN067N65S3H de puissance élevée, RAPIDEMENT, 650 V, 40 A, 67 mΩ, TO-247 4lead étroit [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:20
Chine Transistor MOSFET NTH4LN040N65S3H de puissance élevée N-canal SUPERFET® III, RAPIDEMENT, 650 V, 62 A, 40 mΩ, TO-247 4lead étroit usine

Transistor MOSFET NTH4LN040N65S3H de puissance élevée N-canal SUPERFET® III, RAPIDEMENT, 650 V, 62 A, 40 mΩ, TO-247 4lead étroit
Contact

N-canal SUPERFET® III du transistor MOSFET NTH4LN040N65S3H de puissance élevée, RAPIDEMENT, 650 V, 62 A, 40 mΩ, TO-247 4lead étroit [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:20
Chine Transistor MOSFET NTH4LN019N65S3H de puissance élevée N-canal SUPERFET® III RAPIDEMENT 650 étroit 19,3 du mΩ TO-247 de V 75 A 4lead usine

Transistor MOSFET NTH4LN019N65S3H de puissance élevée N-canal SUPERFET® III RAPIDEMENT 650 étroit 19,3 du mΩ TO-247 de V 75 A 4lead
Contact

N-canal SUPERFET® III du transistor MOSFET NTH4LN019N65S3H de puissance élevée RAPIDEMENT 650 étroit 19,3 du mΩ TO-247 de V 75 A 4lead [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:20
Chine Transistor MOSFET NTH4L160N120SC1 de puissance élevée Transistor MOSFET de carbure de silicium, la Manche de ‐ de N, 1200 V, 160 mΩ, TO247−4L usine

Transistor MOSFET NTH4L160N120SC1 de puissance élevée Transistor MOSFET de carbure de silicium, la Manche de ‐ de N, 1200 V, 160 mΩ, TO247−4L
Contact

Transistor MOSFET de carbure de silicium du transistor MOSFET NTH4L160N120SC1 de puissance élevée, la Manche de ‐ de N, 1200 V, 160 mΩ, TO247−4L [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:20
Chine Transistor MOSFET NTH4L080N120SC1 de puissance élevée MΩ TO247−4L de la Manche 1200V 80 de ‐ du carbure de silicium N usine

Transistor MOSFET NTH4L080N120SC1 de puissance élevée MΩ TO247−4L de la Manche 1200V 80 de ‐ du carbure de silicium N
Contact

MΩ TO247−4L de la Manche 1200V 80 de ‐ du carbure de silicium du transistor MOSFET NTH4L080N120SC1 de puissance élevée N [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:20
Page 106 of 212|< 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 >|
Au sujet de nous
Circuit intégré de SMD
Stockage de données de mémoire instantanée
Unité MCU de microcontrôleur
Contactez-nous
Site mobile
Politique de confidentialité | Chine Bon Qualité Crystal Electronic Component Fournisseur. © 2022 - 2025 componentelec.com. All Rights Reserved.