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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET FDN358P de puissance élevée Transistor MOSFET simple -30V, -1.5A, 125mΩ du niveau PowerTrench<sup>®</sup> de logique de P-canal usine

Transistor MOSFET FDN358P de puissance élevée Transistor MOSFET simple -30V, -1.5A, 125mΩ du niveau PowerTrench<sup>®</sup> de logique de P-canal
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Transistor MOSFET simple élevé -30V, -1.5A, 125mΩ de ® de PowerTrench de niveau de logique de P-canal du transistor MOSFET FDN358P de puissance [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:03:51
Chine Transistor MOSFET FDN357N de puissance élevée Transistor à effet de champ de mode d&#039;amélioration de niveau de logique de N-canal 30V, 1.9A, 90mΩ usine

Transistor MOSFET FDN357N de puissance élevée Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de N-canal 30V, 1.9A, 90mΩ
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Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de N-canal du transistor MOSFET FDN357N de puissance élevée 30V, 1.9A, 90mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:03:51
Chine Transistor MOSFET FDN352AP de puissance élevée Transistor MOSFET simple -30V, -1.3A, 180mΩ du P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDN352AP de puissance élevée Transistor MOSFET simple -30V, -1.3A, 180mΩ du P-canal PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:03:51
Chine Transistor MOSFET FDN342P de puissance élevée Le P-canal 2.5V a spécifié le transistor MOSFET -20V, -2A, 80mΩ de PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDN342P de puissance élevée Le P-canal 2.5V a spécifié le transistor MOSFET -20V, -2A, 80mΩ de PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:03:51
Chine Transistor MOSFET FDN340P de puissance élevée Transistor MOSFET simple -20V, -2A, 70mΩ du niveau PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; de logique de P-canal usine

Transistor MOSFET FDN340P de puissance élevée Transistor MOSFET simple -20V, -2A, 70mΩ du niveau PowerTrench<sup>®</sup> de logique de P-canal
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Transistor MOSFET simple élevé -20V, -2A, 70mΩ de ® de PowerTrench de niveau de logique de P-canal du transistor MOSFET FDN340P de puissance [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:03:51
Chine Transistor MOSFET FDN339AN de puissance élevée Le N-canal 2.5V a spécifié PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; MOSFET20V, 3A, 35mΩ usine

Transistor MOSFET FDN339AN de puissance élevée Le N-canal 2.5V a spécifié PowerTrench<sup>®</sup> MOSFET20V, 3A, 35mΩ
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Le N-canal 2.5V du transistor MOSFET FDN339AN de puissance élevée a spécifié le ® MOSFET20V, 3A, 35mΩ de PowerTrench [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvision... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 22:03:51
Chine Transistor MOSFET FDN338P de puissance élevée Le P-canal 2.5V a spécifié le transistor MOSFET -20V, -1.6A, 115mΩ de PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; usine

Transistor MOSFET FDN338P de puissance élevée Le P-canal 2.5V a spécifié le transistor MOSFET -20V, -1.6A, 115mΩ de PowerTrench<sup>®</sup>
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2022-05-30 22:03:51
Chine Transistor MOSFET FDN337N de puissance élevée Transistor à effet de champ niveau de la logique de mode d&#039;amélioration de N-canal 30V, 2.2A, 65mΩ usine

Transistor MOSFET FDN337N de puissance élevée Transistor à effet de champ niveau de la logique de mode d'amélioration de N-canal 30V, 2.2A, 65mΩ
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2022-05-30 22:03:50
Chine Transistor MOSFET FDN336P de puissance élevée Transistor MOSFET simple -20V, -1.3A, 200mΩ du niveau PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt; de logique de P-canal usine

Transistor MOSFET FDN336P de puissance élevée Transistor MOSFET simple -20V, -1.3A, 200mΩ du niveau PowerTrench<sup>®</sup> de logique de P-canal
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2022-05-30 22:03:50
Chine Transistor MOSFET FDN335N de puissance élevée Le N-canal 2.5V a spécifié le transistor MOSFET 20V, 1.7A, 70mΩ de PowerTrench™ usine

Transistor MOSFET FDN335N de puissance élevée Le N-canal 2.5V a spécifié le transistor MOSFET 20V, 1.7A, 70mΩ de PowerTrench™
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2022-05-30 22:03:50
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