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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET NTJS3157N de puissance élevée Fossé simple 20V 4.0A 60mΩ de N-canal usine

Transistor MOSFET NTJS3157N de puissance élevée Fossé simple 20V 4.0A 60mΩ de N-canal
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Fossé simple élevé 20V 4.0A 60mΩ de N-canal du transistor MOSFET NTJS3157N de puissance [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:34:09
Chine Transistor MOSFET NTJS3151P de puissance élevée Fossé simple de P-canal avec la protection -12V -3.3A 60mΩ d'ESD usine

Transistor MOSFET NTJS3151P de puissance élevée Fossé simple de P-canal avec la protection -12V -3.3A 60mΩ d'ESD
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Fossé simple élevé de P-canal du transistor MOSFET NTJS3151P de puissance avec la protection -12V -3.3A 60mΩ d'ESD [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionne... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:34:09
Chine Transistor MOSFET NTJD4401N de puissance élevée Petit signal de double N-canal avec la protection 20V 630mA 375mΩ d'ESD usine

Transistor MOSFET NTJD4401N de puissance élevée Petit signal de double N-canal avec la protection 20V 630mA 375mΩ d'ESD
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Signal de double N-canal du transistor MOSFET NTJD4401N de puissance élevée petit avec la protection 20V 630mA 375mΩ d'ESD [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:34:08
Chine Transistor MOSFET NTJD4158C de puissance élevée Petit transistor MOSFET complémentaire de signal usine

Transistor MOSFET NTJD4158C de puissance élevée Petit transistor MOSFET complémentaire de signal
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Transistor MOSFET complémentaire élevé de signal du transistor MOSFET NTJD4158C de puissance petit [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:34:08
Chine Transistor MOSFET NTJD4152P de puissance élevée Petit signal de double P-canal avec la protection 20V 0.88A 260mΩ d'ESD usine

Transistor MOSFET NTJD4152P de puissance élevée Petit signal de double P-canal avec la protection 20V 0.88A 260mΩ d'ESD
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Signal de double P-canal du transistor MOSFET NTJD4152P de puissance élevée petit avec la protection 20V 0.88A 260mΩ d'ESD [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:34:08
Chine Transistor MOSFET NTJD4105C de puissance élevée Petit transistor MOSFET complémentaire de signal usine

Transistor MOSFET NTJD4105C de puissance élevée Petit transistor MOSFET complémentaire de signal
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Transistor MOSFET complémentaire élevé de signal du transistor MOSFET NTJD4105C de puissance petit [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:34:08
Chine Transistor MOSFET NTJD4001N de puissance élevée Petit transistor MOSFET 30V 250mA 1.5Ω de signal de double N-canal usine

Transistor MOSFET NTJD4001N de puissance élevée Petit transistor MOSFET 30V 250mA 1.5Ω de signal de double N-canal
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Transistor MOSFET 30V 250mA 1.5Ω de signal de double N-canal du transistor MOSFET NTJD4001N de puissance élevée petit [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisio... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:34:08
Chine Transistor MOSFET NTJD1155L de puissance élevée Commutateur latéral élevé de charge de double P-canal avec le décalage de niveau 8V ±1.3A 175mΩ usine

Transistor MOSFET NTJD1155L de puissance élevée Commutateur latéral élevé de charge de double P-canal avec le décalage de niveau 8V ±1.3A 175mΩ
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Commutateur latéral élevé de charge de double P-canal du transistor MOSFET NTJD1155L de puissance élevée avec le décalage de niveau 8V ±1.3A 175mΩ [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:34:08
Chine Transistor MOSFET NTHS5441T1 de puissance élevée FET simple de puce de P-canal de mOhm de 20V 5.3A 60 usine

Transistor MOSFET NTHS5441T1 de puissance élevée FET simple de puce de P-canal de mOhm de 20V 5.3A 60
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FET simple de puce de P-canal de mOhm du transistor MOSFET NTHS5441T1 20V 5.3A 60 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:34:08
Chine Transistor MOSFET NTHS5404 de puissance élevée N-canal simple ChipFET™ 20V 7.2A 30mΩ usine

Transistor MOSFET NTHS5404 de puissance élevée N-canal simple ChipFET™ 20V 7.2A 30mΩ
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N-canal simple élevé ChipFET™ 20V 7.2A 30mΩ du transistor MOSFET NTHS5404 de puissance [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les composants ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:34:08
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