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Transistor MOSFET de puissance élevée

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ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
ITS4200SSJDXUMA1 commutateur 1 des circuits intégrés IC DANS 1 HORS de 6V à 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P-CH SI 20V 3.7A 3 de puissance élevée d'IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET P ch SI 12V 4.3A 3 d'IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R du transistor MOSFET N-CH SI 30V 1.2A 3 de puissance élevée d'IRLML2803TRPBF
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
Tube de Pin TO-247AC du canal SI 75V 350A 3 du transistor MOSFET N de puissance d'IRFP4368PbF Infineon
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Transistor MOSFET de puissance élevée

(2119)
Chine Transistor MOSFET NTBL095N65S3H de puissance élevée N-canal, SUPERFET® III, RAPIDEMENT, 650 V, 30 A, 95 mΩ, PÉAGE usine

Transistor MOSFET NTBL095N65S3H de puissance élevée N-canal, SUPERFET® III, RAPIDEMENT, 650 V, 30 A, 95 mΩ, PÉAGE
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N-canal du transistor MOSFET NTBL095N65S3H de puissance élevée, SUPERFET® III, RAPIDEMENT, 650 V, 30 A, 95 mΩ, PÉAGE [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvision... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:10
Chine Transistor MOSFET NTBL082N65S3HF de puissance élevée N-canal, SUPERFET® III, FRFET®, 650 V, 40 A, 82 mΩ, PÉAGE usine

Transistor MOSFET NTBL082N65S3HF de puissance élevée N-canal, SUPERFET® III, FRFET®, 650 V, 40 A, 82 mΩ, PÉAGE
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N-canal du transistor MOSFET NTBL082N65S3HF de puissance élevée, SUPERFET® III, FRFET®, 650 V, 40 A, 82 mΩ, PÉAGE [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnem... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:10
Chine Transistor MOSFET NTBL070N65S3 de puissance élevée N-canal, SUPERFET® III, commande facile, 650 V, 44 A, 70 mΩ, PÉAGE usine

Transistor MOSFET NTBL070N65S3 de puissance élevée N-canal, SUPERFET® III, commande facile, 650 V, 44 A, 70 mΩ, PÉAGE
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2022-05-30 21:37:10
Chine Transistor MOSFET NTBL050N65S3H de puissance élevée La Manche de ‐ de N, SUPERFET® III, RAPIDEMENT, 650 V, 49 A, 50 mΩ, PÉAGE usine

Transistor MOSFET NTBL050N65S3H de puissance élevée La Manche de ‐ de N, SUPERFET® III, RAPIDEMENT, 650 V, 49 A, 50 mΩ, PÉAGE
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La Manche de ‐ du transistor MOSFET NTBL050N65S3H N de puissance élevée, SUPERFET® III, RAPIDEMENT, 650 V, 49 A, 50 mΩ, PÉAGE [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:09
Chine Transistor MOSFET NTBGS6D5N15MC de puissance élevée 150 V, 6,5 mΩ, A, N−Channel simple, D2PAK7 usine

Transistor MOSFET NTBGS6D5N15MC de puissance élevée 150 V, 6,5 mΩ, A, N−Channel simple, D2PAK7
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Transistor MOSFET NTBGS6D5N15MC 150 V, 6,5 mΩ, A, N−Channel simple, D2PAK7 de puissance élevée [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:09
Chine Transistor MOSFET NTBGS4D1N15MC de puissance élevée la Manche simple D2PAK7 de 150V 4.1mΩ 185A N usine

Transistor MOSFET NTBGS4D1N15MC de puissance élevée la Manche simple D2PAK7 de 150V 4.1mΩ 185A N
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La Manche simple élevée D2PAK7 du transistor MOSFET NTBGS4D1N15MC 150V 4.1mΩ 185A N de puissance [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionnement et les ... Lire la suite meilleur prix
2022-05-30 21:37:09
Chine Transistor MOSFET NTBGS3D5N06C de puissance élevée 60 V, mΩ 3,7 ? , 127A, N−Channel simple, D2PAK7 usine

Transistor MOSFET NTBGS3D5N06C de puissance élevée 60 V, mΩ 3,7 ? , 127A, N−Channel simple, D2PAK7
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2022-05-30 21:37:09
Chine Transistor MOSFET NTBGS2D5N06C de puissance élevée 60 V, mΩ 2,5 ? , 224 A, N−Channel simple, D2PAK7 usine

Transistor MOSFET NTBGS2D5N06C de puissance élevée 60 V, mΩ 2,5 ? , 224 A, N−Channel simple, D2PAK7
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2022-05-30 21:37:09
Chine Transistor MOSFET NTBGS1D5N06C de puissance élevée 60 V, 1,62 m ? , 267 A, N−Channel simple, D2PAK7 usine

Transistor MOSFET NTBGS1D5N06C de puissance élevée 60 V, 1,62 m ? , 267 A, N−Channel simple, D2PAK7
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2022-05-30 21:37:09
Chine Transistor MOSFET NTBGS004N10G de puissance élevée 203 ampères, 100 volts d'amélioration de N-canal - mode D2PAK 7L usine

Transistor MOSFET NTBGS004N10G de puissance élevée 203 ampères, 100 volts d'amélioration de N-canal - mode D2PAK 7L
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Transistor MOSFET NTBGS004N10G de puissance élevée 203 ampères, 100 volts d'amélioration de N-canal - mode D2PAK 7L [Qui nous sommes ?] L'électronique de Sunbeam (Hong Kong) Co. Ltd est foyer sur l'approvisionn... Lire la suite meilleur prix
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