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Aperçu ProduitsTransistor MOSFET de puissance élevée

Transistor MOSFET de la puissance IPD90R1K2C3 élevée, Pin DPAK T/R du module N-CH 900V 5.1A 3 d'AMPAK Wifi

Transistor MOSFET de la puissance IPD90R1K2C3 élevée, Pin DPAK T/R du module N-CH 900V 5.1A 3 d'AMPAK Wifi

IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R
IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R

Image Grand :  Transistor MOSFET de la puissance IPD90R1K2C3 élevée, Pin DPAK T/R du module N-CH 900V 5.1A 3 d'AMPAK Wifi meilleur prix

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: Infineon
Numéro de modèle: IPD90R1K2C3
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Quantité de paquet
Prix: contact sales for updated price
Détails d'emballage: bande et bobine
Délai de livraison: 2 semaines
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 1000+
Description de produit détaillée
Nombre plus probable: IPD90R1K2C3 MFR: Infineon
Catégorie: MOSFET Taille: 2.41*6.73*6.22mm
Mettre en évidence:

Transistor MOSFET de la puissance IPD90R1K2C3 élevée

,

Pin du transistor MOSFET 3 de puissance élevée

,

Module N-CH d'AMPAK Wifi

Transistor MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R de transport d'IPD90R1K2C3 Infineon

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme avec l'exemption
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
SVHC Oui
SVHC dépasse le seuil Oui
Des véhicules à moteur Non
PPAP Non
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Configuration Simple
Technologie transformatrice CoolMOS
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche N
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 900
Tension de source de porte maximum (v) ±20
Tension maximum de seuil de porte (v) 3,5
La température de jonction fonctionnante (°C) -55 à 150
Drain continu maximum (a) actuel 5,1
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) 100
IDSS maximum (uA) 1
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 1200@10V
Charge typique @ Vgs (OR) de porte 28@10V
Charge typique @ 10V (OR) de porte 28
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 710@100V
Dissipation de puissance maximum (mW) 83000
Temps typique d'automne (NS) 40
Temps de montée typique (NS) 20
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 400
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 70
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Emballage Bande et bobine
Tension de source de porte positive maximum (v) 20
Tension en avant de diode maximum (v) 1,2
Pin Count 3
Nom de forfait standard TO-252
Paquet de fournisseur DPAK
Support Bâti extérieur
Taille de paquet 2,41 (maximum)
Longueur de paquet 6,73 (maximum)
Largeur de paquet 6,22 (maximum)
La carte PCB a changé 2
Étiquette Étiquette
Forme d'avance Mouette-aile

Coordonnées
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Personne à contacter: peter

Téléphone: +8613211027073

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