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Détails sur le produit:
Conditions de paiement et expédition:
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Nombre plus probable: | BSC123N08NS3G | MFR: | Infineon |
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Catégorie: | MOSFET | Taille: | 1*5.15*5.9mm |
Mettre en évidence: | Transistor MOSFET 80V de puissance élevée,Transistor MOSFET 11A de puissance élevée,BSC123N08NS3G |
UE RoHS | Conforme avec l'exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Statut de partie | Actif |
SVHC | Oui |
SVHC dépasse le seuil | Oui |
Des véhicules à moteur | Inconnu |
PPAP | Inconnu |
Catégorie de produit | Transistor MOSFET de puissance |
Technologie transformatrice | OptiMOS |
Configuration | Source triple de drain simple de quadruple |
Mode de la Manche | Amélioration |
Type de la Manche | N |
Nombre d'éléments par puce | 1 |
Tension maximum de source de drain (v) | 80 |
Tension de source de porte maximum (v) | ±20 |
Drain continu maximum (a) actuel | 11 |
Résistance maximum de source de drain (MOhm) | 12.3@10V |
Charge typique @ Vgs (OR) de porte | 19@10V |
Charge typique @ 10V (OR) de porte | 19 |
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée | 1430@40V |
Dissipation de puissance maximum (mW) | 2500 |
Temps typique d'automne (NS) | 4 |
Temps de montée typique (NS) | 18 |
Temps de retard d'arrêt typique (NS) | 19 |
Temps de retard d'ouverture typique (NS) | 12 |
Température de fonctionnement minimum (°C) | -55 |
Température de fonctionnement maximum (°C) | 150 |
Pin Count | 8 |
Nom de forfait standard | FILS |
Paquet de fournisseur | PE DE TDSON |
Support | Bâti extérieur |
Taille de paquet | 1 |
Longueur de paquet | 5,15 |
Largeur de paquet | 5,9 |
La carte PCB a changé | 8 |
Forme d'avance | Aucune avance |
Personne à contacter: peter
Téléphone: +8613211027073