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Transistor MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PowerPAK AINSI T/R de transport de SIR412DP-T1-GE3 VISHAY

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Transistor MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PowerPAK AINSI T/R de transport de SIR412DP-T1-GE3 VISHAY

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	VISHAY
Numéro de modèle:	SIR412DP-T1-GE3

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	100
Prix:	Pls contact sales for updated price
Détails d'emballage:	1000
Délai de livraison:	7-15 jours
Conditions de paiement:	paypal, T/T
Capacité d'approvisionnement:	2K

Contact

Description de produit détaillée

Nombre plus probable:	SIR412DP-T1-GE3	MFR:	VISHAY
Tension maximum de source de drain (v):	25	Paquet de fournisseur:	QFN8

Spécifications techniques de produit

UE RoHS

Conforme

ECCN (US)

EAR99

Statut de partie

Obsolète

Des véhicules à moteur

Non

PPAP

Non

Catégorie de produit

Transistor MOSFET de puissance

Configuration

Source triple de drain simple de quadruple

Mode de la Manche

Amélioration

Type de la Manche

Nombre d'éléments par puce

Tension maximum de source de drain (v)

Tension de source de porte maximum (v)

±20

Drain continu maximum (a) actuel

Résistance maximum de source de drain (mOhm)

12@10V

Charge typique @ Vgs (OR) de porte

10.7@10V|4.9@4.5V

Charge typique @ 10V (OR) de porte

10,7

Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée

600@10V

Dissipation de puissance maximum (mW)

3900

Temps typique d'automne (NS)

Temps de montée typique (NS)

Temps de retard d'arrêt typique (NS)

Temps de retard d'ouverture typique (NS)

Température de fonctionnement minimum (°C)

-55

Température de fonctionnement maximum (°C)

150

Emballage

Bande et bobine

Paquet de fournisseur

PowerPAK AINSI

Pin Count

Support

Bâti extérieur

Taille de paquet

1,07 (maximum)

Longueur de paquet

4,9

Largeur de paquet

5,89

La carte PCB a changé

Forme d'avance

Aucune avance

Produit Tag:

Personne à contacter: peter

Téléphone: +8613211027073

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Transistor MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PowerPAK AINSI T/R de transport de SIR412DP-T1-GE3 VISHAY

Spécifications techniques de produit

TXC Crystal Electronic Component,

KDS Crystal Electronic Component,

Crystal Electronic Component 0.032768MHz

Pin en cristal de Q13FC1350000400 EPSON 32768 kilohertz 20ppm Tol 12.5pF 2

EXS00A-CS09986 NDK Crystal Electronic Component 19.2MHz 7pF 10ppm SMD2016-4P

Relais 12VDC 36A SPST-NO 30.5x16x20.5mm THT de puissance de G6QE-1A DC12 OMRON

Relais mécanique électrique DPDT 10A 12VDC 650Ohm d'AZ733-2C-12D ZETTLER par le trou

XRCGB32M000F1H00R0 Murata 32 22h en cristal PF 60Ohm 3 de mégahertz dans SMD T/R

Pin en cristal SMD T/R de XRCGB27M120F2P10R0 Murata 27.12MHz 20ppm 10pF 80Ohm 4