Envoyer le message

Multi-produits d'Intergrate, plein service d'étapes,
Contrôle de haute qualité, fullfillment du besoin des clients

 

Maison
Produits
Au sujet de nous
Visite d'usine
Contrôle de qualité
Contactez-nous
Demande de soumission
Aperçu ProduitsDiodes et transistors électroniques

Pin SOT-23 T/R du transport N ch 50V 0.2A 3 de transistor MOSFET de BSS138LT1G Onsemi

Pin SOT-23 T/R du transport N ch 50V 0.2A 3 de transistor MOSFET de BSS138LT1G Onsemi

BSS138LT1G Onsemi Mosfet Trans N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R
BSS138LT1G Onsemi Mosfet Trans N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R

Image Grand :  Pin SOT-23 T/R du transport N ch 50V 0.2A 3 de transistor MOSFET de BSS138LT1G Onsemi meilleur prix

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: ONSEMI
Numéro de modèle: BSS138LT1G
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: Quantité de paquet
Prix: contact sales for updated price
Détails d'emballage: bande et bobine
Délai de livraison: 2 semaines
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 1000+
Description de produit détaillée
Mettre en évidence:

Transistor MOSFET 50V 0.2A d'Onsemi

,

Transport N ch de transistor MOSFET d'Onsemi

,

Pin de BSS138LT1G 3

Transistor MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R de transport de BSS138LT1G ONsemi

SUR LE transistor MOSFET de semi-conducteur est un transistor de transistor MOSFET de canal de N qui fonctionne en mode d'amélioration. Sa dissipation de puissance maximum est 225 mW. La tension maximum de source de drain du produit est 50 V et la tension de source de porte est ±20 V. Ce transistor MOSFET a une gamme de température de fonctionnement de -55°C à 150°C.

Caractéristiques et avantages :
• Basse tension de seuil (VGS (Th) : 0,85 V-1.5 V) le rendent idéal pour des applications de basse tension
• Le paquet extérieur miniature du bâti SOT-23 ménage de l'espace de conseil
• Préfixe de BVSS pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC-Q101 a qualifié et PPAP capable
• Ces dispositifs sont sans Pb, l'halogène Free/BFR libres et sont RoHS conforme

Application :
• Convertisseurs de DC-DC
• Gestion de puissance dans les produits portatifs et à piles tels que des ordinateurs
• Imprimantes
• Cartes de PCMCIA
• Téléphones cellulaires et sans fil.

Spécifications techniques de produit

UE RoHS Conforme
ECCN (US) EAR99
Statut de partie Actif
HTS 8541.21.00.95
Des véhicules à moteur Non
PPAP Non
Catégorie de produit Transistor MOSFET de puissance
Configuration Simple
Mode de la Manche Amélioration
Type de la Manche N
Nombre d'éléments par puce 1
Tension maximum de source de drain (v) 50
Tension de source de porte maximum (v) ±20
Tension maximum de seuil de porte (v) 1,5
La température de jonction fonctionnante (°C) -55 à 150
Drain continu maximum (a) actuel 0,2
Courant maximum de fuite de source de porte (Na) 100
IDSS maximum (uA) 0,5
Résistance maximum de source de drain (MOhm) 3500@5V
Capacité typique @ Vds (PF) d'entrée 40@25V
Capacité inverse typique @ Vds (PF) de transfert 3,5
Tension minimum de seuil de porte (v) 0,85
Capacité de sortie typique (PF) 12
Dissipation de puissance maximum (mW) 225
Temps de retard d'arrêt typique (NS) 20 (maximum)
Temps de retard d'ouverture typique (NS) 20 (maximum)
Température de fonctionnement minimum (°C) -55
Température de fonctionnement maximum (°C) 150
Emballage Bande et bobine
Tension de source de porte positive maximum (v) 20
Maximum pulsés vidangent le courant @ TC=25°C (a) 0,8
Tension typique de plateau de porte (v) 1,9
Pin Count 3
Nom de forfait standard IVROGNE
Paquet de fournisseur SOT-23
Support Bâti extérieur
Taille de paquet 0,94
Longueur de paquet 2,9
Largeur de paquet 1,3
La carte PCB a changé 3
Forme d'avance Mouette-aile
Amplifiez les signaux électroniques et commutez entre eux à l'aide de SUR LE transistor MOSFET de puissance du BSS138LT1G du semi-conducteur. Sa dissipation de puissance maximum est 225 mW. Afin d'assurer la livraison sûre et permettre le support rapide de ce composant après la livraison, elle sera emballée dans l'emballage de bande et de bobine pendant l'expédition. Ce transistor de transistor MOSFET a une gamme de température de fonctionnement du °C -55 à 150 °C. Ce dispositif utilise la technologie de tmos. Ce transistor de transistor MOSFET de canal de N fonctionne en mode d'amélioration.

Coordonnées
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Personne à contacter: peter

Téléphone: +8613211027073

Envoyez votre demande directement à nous